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2N2857 参数 Datasheet PDF下载

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型号: 2N2857
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内容描述: 射频与微波离散小功率三极管 [RF & MICROWAVE DISCRETE LOW POWER TRANSISTORS]
分类和应用: 晶体晶体管射频微波放大器
文件页数/大小: 4 页 / 86 K
品牌: MICROSEMI [ MICROSEMI CORPORATION ]
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2N2857
FUNCTIONAL
Symbol
Test Conditions
Min.
Maximum Unilateral Gain
Maximum Available Gain
Insertion Gain
IC = 12 mAdc, VCE = 10Vdc,
f = 500 MHz
IC = 12 mAdc, VCE = 10Vdc,
f = 500 MHz
IC = 12 mAdc, VCE = 10Vdc,
f = 500 MHz
Value
Typ.
13
13.5
10.5
Max.
-
-
-
Unit
dB
dB
dB
G
U max
-
-
9.5
MAG
2
|S
21
|
Table 1. Common Emitter S-Parameters, @ VCE = 10 V, IC = 12 mA
f
S11
(MHz)
100
200
300
400
500
600
700
800
900
1000
|S11|
0.457
0.291
0.233
0.212
0.184
0.173
0.192
0.165
0.261
0.083
∠φ
-44
-56
-60
-68
-76
-79
-89
-96
-121
149
S21
|S21|
12.49
8.06
5.3
3.88
3.36
2.97
2.39
1.89
2.72
1.27
∠φ
122
101
89
80
80
69
61
57
60
39
S12
|S12|
0.012
0.018
0.024
0.032
0.037
0.043
0.044
0.055
0.068
0.064
∠φ
63
55
81
55
49
46
44
43
29
18
S22
|S22|
0.823
0.712
0.728
0.723
0.711
0.717
0.72
0.731
0.746
0.749
∠φ
-23
-35
-46
-60
-73
-86
-100
-115
-131
-148
MSC1066.PDF 3-10-99