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MT16LSDT6464AG-10E 参数 Datasheet PDF下载

MT16LSDT6464AG-10E图片预览
型号: MT16LSDT6464AG-10E
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内容描述: 同步DRAM模块 [SYNCHRONOUS DRAM MODULE]
分类和应用: 动态存储器
文件页数/大小: 24 页 / 609 K
品牌: MICRON [ MICRON TECHNOLOGY ]
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256MB / 512MB ( 64 )
168针SDRAM DIMM的
表6:
引脚说明
符号
RAS # , CAS # ,
WE#
CK0-CK3
TYPE
输入
输入
描述
命令输入: RAS # , CAS #和WE# (以及带有S # )
定义所输入的命令。
钟: CK是由系统时钟驱动。所有的SDRAM输入
信号进行采样的CK的上升沿。 CK也
递增内部突发计数器和控制输出
寄存器。
时钟使能: CKE激活( HIGH)和停用( LOW )的
CK信号。停用时钟提供了预充电
掉电和自刷新操作(所有设备银行
空闲模式)或时钟暂停操作(突发存取
正在进行中) 。 CKE是同步的,除了设备进入后,
关断和自刷新模式,在CKE变
异步直到退出同一模式之后。输入
在掉电模式下的缓冲区,包括CK ,被禁用,
自刷新模式,提供低待机功耗。
芯片选择:• #启用(注册LOW )和禁用
(注册HIGH )命令解码器。所有的命令都
当S #注册HIGH蒙面。 S #被认为是部分
的命令代码。
输入/输出面膜: DQMB是输入掩码信号写
访问和输出使能信号,用于读访问。输入
当DQMB是写在高采样数据被屏蔽
周期。输出缓冲器置于高阻抗状态(双
时钟延迟) ,当DQMB是一个读周期内采样为高电平
周期。
银行地址: BA0和BA1确定哪个设备银行
ACTIVE , READ,WRITE或预充电命令正在
应用。
地址输入:提供行地址为ACTIVE
命令和列地址并自动prcharge位
(A10 ),用于读/写命令,以选择一个位置出
存储器的arrary在相应的设备组。 A10
取样在预充电命令决定是否
所述预充电适用于一个设备组( A10 LOW时,设备
银行通过BA0 , BA1选择)或所有设备银行( A10 HIGH ) 。
地址输入时也一个模式提供了操作码
寄存器设置命令。
串行时钟用于在线检测: SCL用于同步
的存在下,检测的数据传输和从模块。
在线检测地址输入:这些引脚用来
配置在线检测设备。
数据I / O :数据总线。
引脚数可能不相关的符号。请参考引脚分配表引脚数和符号信息。
PIN号码
27, 111, 115
42, 79, 125, 163
63, 128
CKE0 , CKE1
输入
30, 45,114, 129
S0# -S3#
输入
28, 29, 46, 47, 112, 113, 130,
131
DQMB0-DQMB7
输入
39, 122
BA0 , BA1
输入
33 - 38, 117 - 121, 123, 126
A0-A12
输入
83
165-167
2-5, 7-11, 13-17, 19-20, 55-58,
60, 65-67, 69-72, 74-77, 86-89,
91-95, 97-101, 103-104,
139-142, 144, 149-151,
153-156,158-161
82
SCL
SA0-SA2
DQ0-DQ63
输入
输入
输入/
产量
SDA
输入/串行存在侦测数据: SDA是用于双向引脚
输出传送地址和数据移入和移出presence-的
检测模块的一部分。
32,64梅格×64 SDRAM DIMM的
SD8_16C32_64x64AG_C.fm - 版本C 11/02
3
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