256MB / 512MB （ 64 ）
168针SDRAM DIMM的
同步
DRAM模块
特点
• PC100-和PC133兼容
•符合JEDEC标准的168针，双列直插式存储器
模块（DIMM）
•无缓冲
• 256MB （梅格32 ×64 ） ， 512MB （梅格64 ×64 ）
•单+ 3.3V ± 0.3V电源
•完全同步;所有注册的积极信号
系统时钟的边沿
•内部流水线操作;可以列地址
可以改变每个时钟周期
•内置SDRAM银行隐藏行存取/预充电
•可编程突发长度： 1 ， 2 ， 4 ， 8 ，或整页
•自动预充电，包括自动并行
预充电和自动刷新模式
• 64毫秒， 8192周期自动刷新周期
•自刷新模式
• LVTTL兼容的输入和输出
•串行存在检测（ SPD ）
MT8LSDT3264A （Ⅰ） - 256MB
MT16LSDT6464A （Ⅰ） - 512MB
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网站：
图1 ： 168针DIMM （ MO- 161 ）
标准
低调
选项
•包
无缓冲
168针DIMM （金）
•工作温度范围
商用（0 ° C至+ 70 ° C）
工业级（-40° C至+ 85°C ）
1
•内存时钟/ CAS延迟
（ 133兆赫） / CL = 2
（ 133兆赫） / CL = 3
（100兆赫） / CL = 2
注意：
记号
A
G
无
I
-13E
-133
-10E
表2：
模块
标志
-13E
-133
-10E
时序参数
PC100
CL -
t
RCD -
t
RP
2-2-2
2-2-2
2-2-2
PC133
CL -
t
RCD -
t
RP
2-2-2
3-3-3
NA
表3：
产品编号
系统
配置总线速度
梅格32 ×64
梅格32 ×64
梅格32 ×64
梅格64 ×64
梅格64 ×64
梅格64 ×64
133兆赫
133兆赫
100兆赫
133兆赫
133兆赫
100兆赫
部分号码
1
MT8LSDT3264AG-13E_
MT8LSDT3264AG(I)-133_
MT8LSDT3264AG-10E_
MT16LSDT6464AG-13E_
MT16LSDT6464AG(I)-133_
MT16LSDT6464AG-10E_
注意：
1.请微米的可用性;工业温度
TURE选项中只有-133速度可用。
表1：
地址表
256MB
模块
8K
4 （ BA0 ， BA1 ）
32梅格×8
8K （ A0 - A12 ）
1K （ A0 -A9 ）
1 (S0,S2)
512MB
模块
8K
4 （ BA0 ， BA1 ）
32梅格×8
8K （ A0 - A12 ）
1K （ A0 -A9 ）
2 (S0,S2; S1,S3)
刷新计数
银行设备
设备CON组fi guration
行寻址
列寻址
模块银行
1.代号为组件和PCB版本
各零件号码的最后两个字符。
对于当前版本的代码，请咨询工厂。例如：
MT8LSDT3264AG-133B1.
32,64梅格×64 SDRAM DIMM的
SD8_16C32_64x64AG_C.fm - 版本C 11/02
1
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