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MT16LSDT6464AG-10E 参数 Datasheet PDF下载

MT16LSDT6464AG-10E图片预览
型号: MT16LSDT6464AG-10E
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内容描述: 同步DRAM模块 [SYNCHRONOUS DRAM MODULE]
分类和应用: 动态存储器
文件页数/大小: 24 页 / 609 K
品牌: MICRON [ MICRON TECHNOLOGY ]
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256MB / 512MB ( 64 )
168针SDRAM DIMM的
表7:
BURST
突发定义
开始
COLUMN
地址
ORDER OF访问WITHIN
一阵
TYPE =
顺序
TYPE =
交错
0-1
1-0
0-1-2-3
1-0-3-2
2-3-0-1
3-2-1-0
0-1-2-3-4-5-6-7
1-0-3-2-5-4-7-6
2-3-0-1-6-7-4-5
3-2-1-0-7-6-5-4
4-5-6-7-0-1-2-3
5-4-7-6-1-0-3-2
6-7-4-5-2-3-0-1
7-6-5-4-3-2-1-0
不支持
2
4
8
页面
(y)
注意:
A0
0
1
A1 A0
0
0
0
1
1
0
1
1
A2 A1 A0
0
0
0
0
0
1
0
1
0
0
1
1
1
0
0
1
0
1
1
1
0
1
1
1
N = A0 -A11 / 9月8日
(位置
0 - y)
0-1
1-0
0-1-2-3
1-2-3-0
2-3-0-1
3-0-1-2
0-1-2-3-4-5-6-7
1-2-3-4-5-6-7-0
2-3-4-5-6-7-0-1
3-4-5-6-7-0-1-2
4-5-6-7-0-1-2-3
5-6-7-0-1-2-3-4
6-7-0-1-2-3-4-5
7-0-1-2-3-4-5-6
CN ,CN + 1 ,道道通+ 2
道道通+ 3 ,道道通+ 4 ...
... CN - 1 ,CN ...
1.对于整版访问:Y = 1024
2.对于两个脉冲串长度, A1〜 A9的选择的块
2爆裂; A0选择中的起始列
块。
3.对于四个脉冲串长度,A2 -A9选择的块
4个脉冲串; A0 -A1中选择起始列
块。
4.对于八个脉冲串长度, A3- A9的选择块
八一阵; A0 -A2选择起始列
内的块。
5.对于全页突发,全行选择
A0 -A9选择起始列。
6.每当到达该块的边界
上面给定的序列中,下面的
块内的访问封装。
7.一个的脉冲串长度, A0 -A9选择独特
要访问的列,并且模式寄存器位M3是
忽略不计。对于全页突发,全行
选择A0 -A8选择起始列。
32,64梅格×64 SDRAM DIMM的
SD8_16C32_64x64AG_C.fm - 版本C 11/02
9
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