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M29W256GH70N6E 参数 Datasheet PDF下载

M29W256GH70N6E图片预览
型号: M29W256GH70N6E
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内容描述: 并行NOR闪存的嵌入式存储器 [Parallel NOR Flash Embedded Memory]
分类和应用: 闪存存储内存集成电路光电二极管
文件页数/大小: 89 页 / 1158 K
品牌: MICRON [ MICRON TECHNOLOGY ]
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256MB : 3V嵌入式并行NOR闪存
特点
品名信息
可与美光科技公司预先锁定的扩展内存块。设备从内存出厂
擦除为1。可用选项的内容位,如包或高/低保护,或了解更多信息,
请联系您的美光的销售代表。一部分号码可以在验证
功能和规格
按设备类型化的比较,请
联系工厂的设备不
发现。
表1 :产品型号信息
产品型号
类别
设备类型
工作电压
设备功能
详细分类
M29W
W = VCC = 2.7〜 3.6V
256GH = 256Mb的( X8 / X16 )上,均匀的块闪存,受保护的最高块
V
PP
/ WP #
256GL = 256Mb的( X8 / X16 )上,均匀的块闪存,受保护的最低块
V
PP
/ WP #
速度
70 = 70ns的
60 = 60ns的
7A = 70ns的
N = 56引脚TSOP , 14毫米X 20毫米,无铅,无卤素,符合RoHS标准
ZA = 64针TBGA , 10毫米x10 13毫米,无铅,无卤素,符合RoHS标准
ZS = 64针加固BGA的11mm X 13毫米
温度范围
1 = 0 〜70℃
6 = -40 ° CTO + 85°C
3 = -40 ° C至+ 125°C
航运选择
E =符合RoHS标准的封装,标准包装
F =符合RoHS标准的封装,卷带式包装
注意事项:
1. 80ns的,如果VCCQ = 1.65V至VCC。
2. 60ns的设备可根据客户的要求。
3.汽车合格,仅适用于选项6.合格和特点根据AEC Q100和
Q003或同等学历;符合AEC Q001和Q002或同等学历先进的筛选。
笔记
PDF : 09005aef84bd3b68
m29w_256mb.pdf - 版本B 5/13 EN
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