256MB ： 3V嵌入式并行NOR闪存
概述
概述
该M29W是异步的，统一的块，并行NOR闪存设备MAN-
制造出来的65纳米单级单元（ SLC ）技术。读取，擦除和编程OP-
操作使用一个单一的低电源电压进行的。在上电时，该设备
默认读取阵列模式。
所述主存储器阵列被划分成可被擦除independent-均匀的块
光年以便有效数据可以同时旧的数据被清除保留。编程和擦除
命令被写入存储器的命令接口。片上程序/
擦除控制器简化了编程的过程中或通过采取擦除存储器
关爱需要更新存储器内容全部专项行动。的结束
编程或擦除操作，可以检测任何错误条件可以是identi-
田间。控制设备所需的指令集是符合JEDEC待机动一致
急性呼吸窘迫综合征。
CE＃ ， OE＃和WE ＃控制设备的总线操作，使一个简单CON-
nection大多数微处理器，通常无需额外的逻辑。
该M29W支持异步随机读取和页面的的所有块读
数组。它的特点是写入缓冲区，由亲提高了吞吐量计划能力
编程的32个字的缓冲区中的一个命令序列。另外，在x16模式中，烯
hanced缓冲程序功能通过编程256字提高了吞吐量
在一个命令序列。该器件V
PP
/ WP ＃信号，实现了更快的编程。
该器件包含一个128字（ X16 ）和256字节的（x8 ）扩展内存块。该
用户可以设定此额外的空间，然后保护它永久固定
内容。该器件还具有不同程度的硬件和软件保护
从不必要的修改固定块。
图1 ：逻辑图
V
CC
V
CCQ
V
PP
/ WP ＃
15
A[23:0]
WE＃
CE＃
OE ＃
RST ＃
BYTE ＃
V
SS
DQ [14 ：0]
DQ15/A-1
RY / BY ＃
PDF ： 09005aef84bd3b68
m29w_256mb.pdf - 版本B 5/13 EN
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