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M29DW256G7ANF6F 参数 Datasheet PDF下载

M29DW256G7ANF6F图片预览
型号: M29DW256G7ANF6F
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内容描述: [Micron Parallel NOR Flash Embedded Memory]
分类和应用:
文件页数/大小: 78 页 / 1023 K
品牌: MICRON [ MICRON TECHNOLOGY ]
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256Mb: 3V Embedded Parallel NOR Flash  
Registers  
Figure 5: Data Polling Flowchart  
Start  
Read DQ7, DQ5, and DQ1  
at valid address1  
Yes  
DQ7 = Data  
No  
No  
No  
DQ5 = 1  
Yes  
DQ1 = 1  
Yes  
Read DQ7 at valid address  
Yes  
DQ7 = Data  
No  
Failure2  
Success  
1. Valid address is the address being programmed or an address within the block being  
erased.  
Notes:  
2. Failure results: DQ5 = 1 indicates an operation error; DQ1 = 1 indicates a WRITE TO BUF-  
FER PROGRAM ABORT operation.  
PDF: 09005aef84ecabef  
m29dw_256g.pdf - Rev. A 10/12 EN  
Micron Technology, Inc. reserves the right to change products or specifications without notice.  
22  
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