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JS28F512P30TF 参数 Datasheet PDF下载

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型号：	JS28F512P30TF
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内容描述：	美光并行NOR闪存的嵌入式存储器（ P30-65nm ） [Micron Parallel NOR Flash Embedded Memory (P30-65nm)]
分类和应用：	闪存存储内存集成电路光电二极管
文件页数/大小：	92 页 / 1225 K
品牌：	MICRON [ MICRON TECHNOLOGY ]

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512Mb, 1Gb, 2Gb: P30-65nm

AC Write Specifications

Figure 37: Write to Synchronous Read Timing

Latency count

^tVLCH

^tAVCH

^tAVQV

CLK

^tAVWH

^tWHAX

^tCHAX

^tVHAX

A

^tVLVH

ADV#

^tELWL

^tWHEH

^tEHEL ^tELCH

CE#

^tWHAV

^tWHCH/L

^tWHVH

^tWLWH

WE#

OE#

^tGLQV

^tGLTX

^tELQV

^tCHTV

WAIT

^tCHQV

^tCHQX

^tCHQV

^tDVWH

^tWHDX

DQ

D

Q

Q

^tPHWL

RST#

1. WAIT shown de-asserted and High-Z per OE# de-assertion during WRITE operation

(RCR10 = 0, WAIT asserted LOW).

Note:

PDF: 09005aef845667b3

p30_65nm_MLC_512Mb-1gb_2gb.pdf - Rev. B 12/13 EN

Micron Technology, Inc. reserves the right to change products or specifications without notice.

90

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