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JS28F512P30TF 参数 Datasheet PDF下载

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型号：	JS28F512P30TF
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内容描述：	美光并行NOR闪存的嵌入式存储器（ P30-65nm ） [Micron Parallel NOR Flash Embedded Memory (P30-65nm)]
分类和应用：	闪存存储内存集成电路光电二极管
文件页数/大小：	92 页 / 1225 K
品牌：	MICRON [ MICRON TECHNOLOGY ]

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512Mb, 1Gb, 2Gb: P30-65nm

AC Write Specifications

Figure 33: Write to Write Timing

Figure 34: Asynchronous Read to Write Timing

^tAVAV

^tAVQV

^tAVWH

^tWHAX

A

^tEHQZ

^tELQV

CE#

^tGLQV

^tGHQZ

OE#

^tELWL

^tWLWH

^tWHEH

WE#

^tGLTV

^tGHTZ

^tOH

WAIT

^tGLQX

^tELQX

^tWHDX

^tDVWH

DQ

Q

D

^tPHQV

RST#

1. WAIT de-asserted during asynchronous read and during write. WAIT High-Z during write

per OE# deasserted.

Note:

PDF: 09005aef845667b3

p30_65nm_MLC_512Mb-1gb_2gb.pdf - Rev. B 12/13 EN

Micron Technology, Inc. reserves the right to change products or specifications without notice.

87

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