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TC429CPA 参数 Datasheet PDF下载

TC429CPA图片预览
型号: TC429CPA
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内容描述: 6A单一的高速, CMOS功率MOSFET驱动器 [6A Single High-Speed, CMOS Power MOSFET Driver]
分类和应用: 驱动器接口集成电路光电二极管
文件页数/大小: 14 页 / 543 K
品牌: MICROCHIP [ MICROCHIP TECHNOLOGY ]
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TC429
4.0
注意:
典型特征
提供了以下说明中的图表是一个统计结果的数量有限
提供,仅供参考样本和。这里所列出的性能特点是
没有测试或保证。一些图表中列出的数据可能是指定的外
工作范围(例如,超出了规定的电源电压范围),因此不在担保范围内。
上升/下降时间与温度的关系
60
上升/下降时间与电源电压
60
T
50
时间(纳秒)
L
上升/下降时间 - 容性负载
100
°
C
50
T
V
t
F
40
40
t
F
时间(纳秒)
t
R
10
30
t
F
t
R
30
t
R
20
20
10
5
10
15
电源电压( V)
20
10
-50 -25
0
25 50 75 100 125 150
°
C)
1
100
1K
容性负载(PF )
10K
电源电流与容性负载
70
60
50
40
30
20
200kHz
10
0
10
20kHz
100
1K
容性负载(PF )
10K
40
90
延迟时间与温度的关系
L
V
DD
= +15V
延迟时间与电源电压
140
电源电流(mA )
T
A
V
°
C
80
延迟时间(纳秒)
T
°
C
C = 2500pF的
p
延迟时间(纳秒)
120
70
t
D2
100
400kHz
60
80
t
D2
60
t
D1
50
t
D1
-50 -25
0
25 50 75 100 125 150
°C)
40
5
10
15
电源电压( V)
20
电源电流与频率的关系
50
T
C
L
电源电流(mA )
电源电流与电源电压
4
电源电流(mA )
电源电流与温度的关系
4
电源电流(mA )
°
C
40
15V
30
V
DD
= 18V
10V
T = +25
°
C
R
L
=
V
= +18
°
C
R
L
=
2
20
3
10
5V
0
1
10
100
频率(kHz )
1K
0
4
8
12
16
电源电压( V)
20
2
-75 -50 -25 0
25 50 75 100 125 150
°
C)
DS21416B第8页
2002年Microchip的科技公司