TC429CPA 参数 Datasheet PDF下载

型号：	TC429CPA
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内容描述：	6A单一的高速， CMOS功率MOSFET驱动器 [6A Single High-Speed, CMOS Power MOSFET Driver]
分类和应用：	驱动器接口集成电路光电二极管
文件页数/大小：	14 页 / 543 K
品牌：	MICROCHIP [ MICROCHIP TECHNOLOGY ]

TC429

三个部分构成总包电源

功耗：

•容性负载功耗（P

)

•静态功率（P

)

•过渡功率（P

)

电容性负载引起的损耗是一个直接函数

化频率，电容负载和电源电压。

封装功耗为：

= F （C V）

其中：

=开关频率

C =容性负载

•电源电压

静态功耗取决于输入信号

占空比。逻辑低输入导致的低功耗

散热模式，不仅0.5毫安总电流消耗。

逻辑高电平信号提高到5毫安最大电流。

静态功耗为：

= V

（D （I

） + （ 1 - D）我

)

其中：

=静态电流与输入高（ 5毫安最大）

=静态电流与输入低电平

（ 0.5毫安最大）

D =占空比

过渡功率耗散的产生是由于输出

级N沟道和P沟道MOS晶体管为ON

同时对于一个很短的时间，当输出

变化。

过渡

大致如下：

包

动力

耗散

= 18V

= 0.1Ω

500mV

其中：

=最大允许结温

(+150°C)

=结点至环境热阻

（ 150C / W ， CERDIP ）

注意：

工作环境温度应不

超过+ 85℃ IJA设备或+ 125°C的

MJA设备。

表3-1：

18V

15V

10V

最大工作

频率

最大

500kHz

700kHz

1.3MHz

>2MHz

条件：

1. CERDIP封装（

=150

C / W ）

2. T

= +25

3. C

= 2500pF的

图3-5：

峰值输出

电流能力

5V/DIV

500mV/DIV

（ 5安培/ DIV ）

输入

产量

= F V

(3.3 x 10

–9

A•秒）

一个例子显示了每个相对大小

项目。

= 2500pF的

= 15V

= 50%

= 200kHz的

=封装功耗= P

+ P

= 113mW + 10mW的+ 41mW

= 164mW

5µs

TIME （为5μs / DIV ）

3.5

注意：

POWER- ON振荡

这是极为重要的是，所有的MOSFET

对于驱动器应用进行评估

具有高功率的可能性

在电源接通产生的振荡

周期。

最高工作温度= T

–

)

= 125°C

上电振荡是由于微量的大小和布局

以及元件贴装。 A'速战速决'的最

其表现出在上电振荡的应用

问题是，将大约为10kΩ串联

MOSFET驱动器的输入端。



2002年Microchip的科技公司

DS21416B第7页

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