TC429
图3-3：
开关时间
造成的退化
负反馈
+18V
图3-4：
+18V
峰值输出电流
测试电路
TC429
2.4V
0V
0.1µF
2
4
1µF
1µF
18V
1
8 6,7
5
TEK CURRENT
探头6302
0V
0.1µF
2500pF
2.4V
0V
0.1µF
2
4
1
8 6,7
5
TEK CURRENT
探头6302
18V
0V
0.1µF
2500pF
逻辑
地
300毫伏
动力
地
6A
PC走线电阻= 0.05W
TC429
3.4
功耗
3.3
输入级
输入电压电平改变空载或
静态电源电流。的N沟道MOSFET
输入级晶体管驱动器具有3mA的电流源负载。
具有逻辑“1”输入时，最大静态电源
电流为5mA 。逻辑“0”电平输入信号降低
为500μA最大静态电流。
在TC429输入被设计为提供300mV的
迟滞，提供清洁的过渡和减少
输出级改变状态时的电流尖峰。
输入电压电平大约为1.5V ，使得
在7V至18V的操作兼容TTL器件
电源电压范围。输入电流小于10μA在这个
范围内。
该TC429可以通过TL494直接驱动， SG1526 /
1527 ， SG1524 ， SE5560或类似的开关模式
电源集成电路。通过卸载了
功率驱动职责的TC429中，电源
控制器可以在较低功耗操作，提高
性能和可靠性。
CMOS电路通常允许用户忽略功率
耗散。逻辑系列，如4000和74C
有输出，只能提供几毫安
目前，甚至短路输出端对地不会
力大的电流损坏设备。在TC429 ，
然而，可源出或吸入数安培和驱动
大容性负载时的高频率。包
功耗限制很容易被超越。
因此，一些应注意到功率
耗散驱动时低阻抗负载和/或
工作在高的频率。
电源电流与频率的关系和供应
电流与电容性负载特性曲线会
帮助确定功耗计算。
表3-1列出了最大工作频率
驱动2500pF的当数电源电压
负载。更精确的功耗数据可
总结了三个电力来源。
输入信号的占空比，电源电压和
容性负载的影响封装功耗。
考虑到功耗和封装的热电阻
tance ，最高环境工作温度
容易计算出来。 8引脚CERDIP结点到
环境的热阻是150C /瓦。在+ 25C时，
封装的额定功率为800mW的最大功耗。
最大允许芯片温度为+ 150°C 。
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2002年Microchip的科技公司
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