PIC18F2331/2431/4331/4431
例8-3 ：
PROGRAM_MEMORY
BCF
MOVLW
MOVWF
MOVLW
MOVWF
BSF
NOP
BSF
DECFSZ
GOTO
BCF
写闪存程序存储器（续）
INTCON ， GIE
55h
EECON2
0AAh
EECON2
EECON1 ， WR
INTCON ， GIE
COUNTER_HI
PROGRAM_LOOP
EECON1 ，雷恩
;禁止中断
;需要顺序
;写55H
;将0AAh写
;启动程序（ CPU失速）
;重新启用中断
;循环，直到做完
;禁用写入内存
8.5.2
写校验
根据不同的应用，良好的编程
实践中可以规定该值写入
内存与原始值进行校验。
这应该在应用中，如果使用
可以写入接近规范的限制位。
如果需要重新编程。该WRERR位被置位时，
一个写操作被MCLR复位中断，或
在正常操作期间，WDT超时复位。在这些
的情况下，用户可以检查WRERR位并重写
的位置。
8.6
8.5.3
的意外终止
写操作
FLASH编程操作期间
代码保护功能
如果一个写操作由于意外事件，如终止
功率损耗或意外复位，内存
只是编程的位置应加以核实，
SEE
对代码保护的闪存细节
程序存储器。
表8-2：
名字
TBLPTRU
相关寄存器闪存程序存储器
第7位
—
第6位
—
第5位
4位
第3位
第2位
第1位
位0
RESET
值
上页：
INT0IE
免费
EEIP
EEIF
EEIE
RBIE
WRERR
—
—
—
TMR0IF
雷恩
LVDIP
LVDIF
LVDIE
INT0IF
WR
—
—
—
RBIF
RD
CCP2IP
CCP2IF
CCP2IE
位21
(1)
程序存储器表指针最高字节（ TBLPTR<20 ： 16> ）
TBPLTRH程序存储器表指针高字节（ TBLPTR<15 ： 8> ）
TBLPTRL程序存储器表指针低字节（ TBLPTR<7 ： 0> ）
TABLAT
INTCON
EECON1
IPR2
PIR2
PIE2
程序存储器表锁存器
GIE / GIEH PEIE / GIEL TMR0IE
EEPGD
OSCFIP
OSCFIF
OSCFIE
CFGS
—
—
—
—
—
—
—
EECON2 EEPROM控制寄存器2 （不是物理寄存器）
图例：
- =未用，读为“0” 。在访问闪存/ EEPROM不使用阴影单元。
注1 ：
PC的bit 21仅在测试模式和串行编程模式下可用。
DS39616D第94页
2010 Microchip的技术公司
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