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PIC18F4431-I/PT 参数 Datasheet PDF下载

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型号: PIC18F4431-I/PT
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内容描述: 28 /40/ 44引脚增强型闪存微控制器采用纳瓦技术,高性能PWM和A / D [28/40/44-Pin Enhanced Flash Microcontrollers with nanoWatt Technology, High-Performance PWM and A/D]
分类和应用: 闪存微控制器
文件页数/大小: 392 页 / 3127 K
品牌: MICROCHIP [ MICROCHIP TECHNOLOGY ]
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PIC18F2331/2431/4331/4431
8.5.1
FLASH程序存储器写
顺序
7.
事件的编程的内部序列
程序存储器位置应该是:
1.
2.
3.
4.
5.
6.
读64字节到RAM中。
更新RAM中的数据值是必要的。
装入表指针的地址被删除。
做行擦除操作(见
装入表指针的第一个地址
字节写入。
写的前8个字节写入保持寄存器
通过自动递增。
设置EECON1寄存器的写操作
通过执行以下操作:
•将EEPGD位以指向程序
内存
•将CFGS位清零以访问程序
内存
•将WREN位使能字节写操作
禁止中断。
写即首先将55h 。
将0AAh写即首先将。
将WR位。这将开始写周期。
该CPU将停止写入的时间
(约2毫秒使用内部定时器) 。
执行
NOP 。
重新启用中断。
重复步骤6-14七次写
64个字节。
验证存储器(表读) 。
8.
9.
10.
11.
12.
13.
14.
15.
16.
这个过程需要大约18毫秒更新一个
行64字节的内存。所需的一个例子
代码中给出了
DS39616D第92页
2010 Microchip的技术公司