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PIC18F4431-I/PT 参数 Datasheet PDF下载

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型号: PIC18F4431-I/PT
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内容描述: 28 /40/ 44引脚增强型闪存微控制器采用纳瓦技术,高性能PWM和A / D [28/40/44-Pin Enhanced Flash Microcontrollers with nanoWatt Technology, High-Performance PWM and A/D]
分类和应用: 闪存微控制器
文件页数/大小: 392 页 / 3127 K
品牌: MICROCHIP [ MICROCHIP TECHNOLOGY ]
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PIC18F2331/2431/4331/4431
8.5
写闪存程序存储器
编程块大小为4个字或8个字节。
不支持字或字节编程。
表写操作用于加载控股
寄存器需要编程闪存存储器。那里
所使用的表8保持寄存器进行写操作
编程。
由于表锁存器( TABLAT )只是单字节,
TBLWT
指令必须被执行8次
每一个编程操作。所有的表写
操作实际上都是短写,因为只有
保持寄存器写入。在更新结束
8个寄存器, EECON1寄存器必须写入到
长写操作开始编程。
长写是必要的编程
内部闪存。指令暂停执行,而在
长写周期。长写将被终止
内部编程定时器。
EEPROM的片上定时器控制写入的时间。
通过片上产生写入/擦除电压
电荷泵,额定工作电压范围
该装置。
注意:
保持寄存器的默认值
器件复位和写操作完成后
为FFH 。向保持寄存器写入FFh
不修改的字节。这意味着
程序存储器的各字节可能
被修饰,只要该修饰
并不试图改变任何位从
“0”到“1” 。当修改个人
字节,它是没有必要加载所有64相应固定
在执行写操作之前,荷兰国际集团注册
操作。
图8-5 :
表写闪存程序存储器
TABLAT
写注册
8
TBLPTR =
xxxxx0
TBLPTR =
xxxxx1
8
TBLPTR =
xxxxx2
8
TBLPTR =
xxxxx7
8
保持寄存器
保持寄存器
保持寄存器
保持寄存器
程序存储器
2010 Microchip的技术公司
DS39616D第91页