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MCP2150-I/SO 参数 Datasheet PDF下载

MCP2150-I/SO图片预览
型号: MCP2150-I/SO
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内容描述: IrDA㈢标准协议栈控制器支持DTE应用 [IrDA㈢ Standard Protocol Stack Controller Supporting DTE Applications]
分类和应用: 控制器
文件页数/大小: 52 页 / 689 K
品牌: MICROCHIP [ MICROCHIP TECHNOLOGY ]
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MCP2150
4.1
直流特性(续)
电气特性:
标准工作条件(除非另有说明)
工作温度: -40°C
T
A
+ 85 ° C(工业级)
工作电压V
DD
范围在DC规格描述
特征
输入低电压
V
IL
D030
D030A
D031
D032
D033
V
IH
D040
D040A
D041
D042
D043
带施密特触发器缓冲
( BAUD1 , BAUD0和RXIR )
RESET
OSC1
输入漏电流
D060
D061
D063
I
IL
输入引脚
RESET
OSC1
±1
±5
±5
µA
µA
µA
V
SS
V
V
DD
,在针
高阻抗
V
SS
V
V
DD
V
SS
V
V
DD
带施密特触发器缓冲
( BAUD1 , BAUD0和RXIR )
RESET
OSC1
输入高电压
输入引脚
带TTL缓冲器
(德克萨斯州,罗得岛, DTR , RTS和EN )
2.0
0.25 V
DD
+ 0.8
0.8 V
DD
0.8 V
DD
0.7 V
DD
V
DD
V
DD
V
DD
V
DD
V
DD
V
V
否则
V
V
V
4.5 V
V
DD
5.5 V
输入引脚
带TTL缓冲器
(德克萨斯州,罗得岛, DTR , RTS和EN )
V
SS
V
SS
V
SS
V
SS
V
SS
0.8 V
0.15 V
DD
0.2 V
DD
0.2 V
DD
0.3 V
DD
V
V
V
V
V
4.5 V
V
DD
5.5 V
否则
典型值
最大
单位
条件
DC特定网络阳离子
PARAM
符号
注1 :
RESET引脚上的漏电流强烈地依赖于所施加的电压电平。指定
为正常工作状态。更高的泄漏电流可以在不同的输入进行测量
电压。
2:
负电流去连接定义为从引脚输出的。
DS21655B第28页
初步
2002年Microchip的科技公司