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MCP2150-I/SO 参数 Datasheet PDF下载

MCP2150-I/SO图片预览
型号: MCP2150-I/SO
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内容描述: IrDA㈢标准协议栈控制器支持DTE应用 [IrDA㈢ Standard Protocol Stack Controller Supporting DTE Applications]
分类和应用: 控制器
文件页数/大小: 52 页 / 689 K
品牌: MICROCHIP [ MICROCHIP TECHNOLOGY ]
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MCP2150
4.1
DC特性
电气特性:
标准工作条件(除非另有说明)
工作温度: -40°C
T
A
+ 85 ° C(工业级)
特征
电源电压
RAM数据保持
电压
(2)
V
DD
启动电压
确保上电复位
V
DD
上升速率
确保上电复位
电源电流
(3)
设备停用
当前
(3, 4)
3.0
2.0
0.05
典型值
(1)
V
SS
4.0
最大
5.5
2.2
7.0
2.2
9
单位
V
V
V
V / ms的
mA
mA
µA
µA
F
OSC
= 11.0592兆赫,V
DD
= 3.0 V
F
OSC
= 11.0592兆赫,V
DD
= 5.5 V
V
DD
= 3.0 V
V
DD
= 5.5 V
条件
SEE
器件的振荡器/时钟停止
DC特定网络阳离子
参数。
D001
D002
D003
D004
D010
D020
符号
V
DD
V
DR
V
POR
SV
DD
I
DD
I
PD
注1 :
在典型的( “典型值” )列中的数据是根据表征结果在25 ℃。这个数据是用于设计
只有和指导,未经测试。
2:
这是极限到V
DD
可以在不丢失RAM数据被降低。
3:
供电电流主要是由工作电压和频率的函数。引脚负载和开关速率,
温度对电流消耗产生影响。
a)
的测试条件为所有的I
DD
当设备启用测量时( EN引脚为高电平) :
OSC1 =外部方波,轨到轨;所有输入引脚拉至V
SS
, RXIR = V
DD
,
RESET = V
DD
;
当设备被禁用( EN引脚为低电平) ,电流测量的条件是相同的。
b)
4:
当设备处于关闭状态( EN引脚为低电平) ,电流的测量所有输入引脚连接到V
DD
或V
SS
输出引脚驱动为高电平或低电平直至无穷阻抗。
2002年Microchip的科技公司
初步
DS21655B第27页