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MX66C256TI-70 参数 Datasheet PDF下载

MX66C256TI-70图片预览
型号: MX66C256TI-70
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内容描述: 超低功耗的32k ×8 CMOS SRAM [Very Low Power 32k x 8 CMOS SRAM]
分类和应用: 静态存储器
文件页数/大小: 9 页 / 185 K
品牌: Macronix [ MACRONIX INTERNATIONAL ]
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MX66C256  
READ CYCLE2 (1,3,4)  
CE  
t ACS  
(5)  
CHZ  
t
(5)  
t
CLZ  
D OUT  
READ CYCLE3 (1,4)  
t
RC  
ADDRESS  
OE  
t
AA  
t
OH  
t
OE  
t
OLZ  
CE  
(5)  
t ACS  
t
t
OHZ  
(1,5)  
CHZ  
(5)  
CLZ  
t
D OUT  
NOTES:  
1. WE is high for read Cycle.  
2. Device is continuously selected when CE = VIL  
.
3. Address valid prior to or coincident with CE transition low .  
4. OE = VIL  
.
±
5. Transition is measured 500mV from steady state with C  
L
= 5pF as shown in Figure 1B.  
The parameter is guaranteed but not 100% tested.  
P/N DS0035  
Rev. 1.1, Jan., 2000  
5
Macronix America Inc. USA 1338 Ridder Park Dr., San Jose, CA 95131  
Tel (408)453-8088 Fax (408)451-0876 www.macronix.com  
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