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MX29LV400BXBI-70 参数 Datasheet PDF下载

MX29LV400BXBI-70图片预览
型号: MX29LV400BXBI-70
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内容描述: 4M- BIT [ 512K ×8 / 256K ×16 ]的CMOS单电压3V仅限于Flash存储器 [4M-BIT [512K x 8 / 256K x 16] CMOS SINGLE VOLTAGE 3V ONLY FLASH MEMORY]
分类和应用: 存储
文件页数/大小: 59 页 / 1217 K
品牌: Macronix [ MACRONIX INTERNATIONAL ]
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MX29LV400T/B  
Figure 7. CE CONTROLLED PROGRAMTIMINGWAVEFORM  
PA for program  
555 for program  
2AA for erase  
SA for sector erase  
555 for chip erase  
Data Polling  
Address  
PA  
tWC  
tWH  
tAS  
tAH  
WE  
OE  
tGHEL  
tCP  
tWHWH1 or 2  
CE  
tWS  
tDS  
tCPH  
tBUSY  
tDH  
DOUT  
DQ7  
Data  
PD for program  
30 for sector erase  
10 for chip erase  
A0 for program  
55 for erase  
tRH  
RESET  
RY/BY  
NOTES:  
1.PA=Program Address, PD=Program Data, DOUT=Data Out, DQ7=complement of data written to device.  
2.Figure indicates the last two bus cycles of the command sequence.  
P/N:PM0710  
REV. 1.4, NOV. 23, 2001  
28  
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