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MX29LV160CBTC-70G 参数 Datasheet PDF下载

MX29LV160CBTC-70G图片预览
型号: MX29LV160CBTC-70G
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内容描述: 16M - BIT [ 2Mx8 / 1Mx16 ] CMOS单电压3V仅限于Flash存储器 [16M-BIT [2Mx8/1Mx16] CMOS SINGLE VOLTAGE 3V ONLY FLASH MEMORY]
分类和应用: 闪存存储内存集成电路光电二极管ISM频段
文件页数/大小: 66 页 / 923 K
品牌: Macronix [ MACRONIX INTERNATIONAL ]
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MX29LV160C T/B  
Table 14.TEMPORARY SECTOR UNPROTECT  
Parameter Std. Description  
Test Setup All Speed Options Unit  
tVIDR  
tRSP  
VID Rise and Fall Time (See Note)  
Min  
Min  
500  
4
ns  
us  
RESET# SetupTime forTemporary Sector Unprotect  
Note:  
Not 100% tested  
Figure 26.TEMPORARY SECTOR UNPROTECTTIMING DIAGRAM  
12V  
RESET#  
0 or Vcc  
0 or Vcc  
Program or Erase Command Sequence  
tVIDR  
tVIDR  
CE#  
WE#  
tRSP  
RY/BY#  
Figure 27. Q6 vs Q2 for Erase and Erase Suspend Operations  
Enter Embedded  
Erasing  
Erase  
Enter Erase  
Erase  
Resume  
Suspend  
Suspend Program  
Erase  
Erase Suspend  
Read  
Erase  
Erase Suspend  
Read  
Erase  
Erase  
WE#  
Q6  
Suspend  
Program  
Complete  
Q2  
Note :  
The system can use OE# or CE# to toggle Q2/Q6, Q2 toggles only when read at an address within an erase-suspended  
P/N:PM1186  
REV. 1.2, JAN. 19, 2006  
51  
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