1.8V至28V输入， PWM升压
μMAX封装控制器
PWM控制器
该MAX668 / MAX669电流模式PWM的心脏
控制器是一个BiCMOS工艺的多输入比较器，它
同时处理的输出误差信号，该
电流检测信号和斜率补偿斜坡
（图1） 。主要的PWM比较器是直接sum-
明，缺乏传统的误差放大器和其相关
ated相移。直接求和配置
接近理想的逐周期控制在输出
放的电压，因为在没有常规误差放大器
反馈通路。
在PWM模式下，控制器采用固定频率，电流
使占空比被设定租模式运转
输入/输出电压比（占空比= （Ⅴ
OUT
- V
IN
) / V
IN
在升压配置） 。电流模式反馈
回路调节峰值电感器电流的一个函数
输出的误差信号。
在轻负载控制器进入空闲模式。中
空闲模式下，开关脉冲仅作为需要 -
版来满足负载和工作电流为微型
而得到优化，以提供最佳的轻负载效率。该
最小电流比较器的阈值是15mV的，或15 ％
满负荷值（Ⅰ
最大
）为100mV的。当CON组
控制器同步至一个外部时钟，空闲模式
只发生在极轻负载。
自举/非自举工作
低压差稳压器（ LDO ）
几个IC偏置选项，包括自举和
非自举操作中，由一个成为可能
片上低压差5V稳压器。该稳压器的输入是
在V
CC
，而其输出是在LDO 。所有MAX668 / MAX669
功能，包括EXT ，在内部的电
LDO 。在V
CC
-to - LDO压差一般为
为200mV （ 300mV的最大值在12毫安） ，使得当V
CC
少
超过5.2V ， LDO通常是V
CC
- 200mV的。当LDO是
在辍学的MAX668 / MAX669仍与V操作
CC
低至3V （只要LDO大于2.7V ），但与
在EXT减少幅度FET驱动器。最大
V
CC
输入电压为28V 。
LDO可提供高达12毫安来驱动IC ，电源
通过EXT栅极电荷外部FET ，和支持
帘布层小的外部负载。当驱动特别大
场效应管在高开关速度，几乎没有电流LDO
可提供用于外部负载。例如，当
开关频率为500kHz ，大FET与20nC的栅极电荷
需要20nC X为500kHz ，或10毫安。
V
CC
和LDO允许各种偏置来连接
优化效率，电路的静态电流，并且全
对于不同的输入和输出负载的启动行为
电压范围。连接示于图2，图3 ，
每4和5的特性概述
表1中。
MAX668/MAX669
V
CC
MAX669 ONLY
1.25V
ANTISAT
LDO
R1
552k
UVLO
R2
276k
R3
276k
FB
CS +
电流检测
斜率补偿
100mV
I
最大
+A
-A X6
+C
-C X1
+ S X1
-S
1.25V
主PWM
比较
REF
EXT
MUX 0
1
保护地
低电压
启动
振荡器
（ MAX669 ONLY）
LDO
MAX668
MAX669
SYNC / SHDN
频率
BIAS
OSC
OSC
15mV
I
民
S Q
R
图1. MAX668 / MAX669功能框图
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