1.8V至28V输入， PWM升压
μMAX封装控制器
MAX668/MAX669
V
IN
= 1.8V至12V
C1
68µF
20V
L1
4.7µH
1
C4
1µF
9
C2
0.1µF
LDO
EXT
8
6
V
OUT
= 12V @ 0.5A
N1
D1
MBRS340T3
IRF7401
R1
0.02Ω
C5
68µF
20V
C6
68µF
20V
C8
0.1µF
R2
218k
1%
MAX669
V
CC
CS +
10 SYNC /
SHDN
4
REF
C3
0.22µF
2
频率
保护地
FB
GND
7
5
3
C7
220pF
R3
24.9k
1%
R4
100k
1%
图2. MAX669高电压自举配置
V
IN
= 1.8V至5V
C1
68µF
10V
L1
4.7µH
1
C2
1µF
9
LDO
EXT
8
6
R1
0.02Ω
V
OUT
= 5V @ 1A
D1
MBRS340T3
FDS6680
IRF7401
N1
C4
68µF
10V
C5
68µF
10V
C6
0.1µF
R2
75k
1%
MAX669
V
CC
CS +
10 SYNC /
SHDN
4
REF
C3
0.22µF
2
频率
保护地
FB
GND
7
5
3
C7
220pF
R3
24.9k
1%
R4
100k
1%
图3. MAX669低电压自举配置
自举工作
用自举操作中， IC被从供电
该电路的输出（Ⅴ
OUT
） 。这提高了效率
当输入电压低时，自EXT驱动FET
具有更高的栅极电压比将是可得自
在低电压输入。较高的栅极电压降低了
FET导通电阻，提高了效率。其他（ unde-
sirable ）自举运作特点
增加的集成电路的工作功率（因为它具有更高的
工作电压）和降低的启动与能力
高负载电流在低输入电压。如果输入电压
10
年龄范围扩展低于2.7V ，则自举
操作与MAX669是唯一的选择。
随着V
CC
连接到V
OUT
，如在图2中， EXT电压
年龄摆为5V时， V
CC
是5.2V以上，和V
CC
-
0.2V时， V
CC
小于5.2V 。如果输出电压
不超过5.5V ，片上稳压器可以
通过连接V关闭
CC
到LDO（图3）。这
消除了LDO的正向压降和供应马克西
妈妈栅极驱动外部FET 。
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