1.8V至28V输入， PWM升压
μMAX封装控制器
MAX668/MAX669
表2.自举和非自举配置
CON组fi guration
科幻gure
利用
有：
输入
电压
范围* （ V）
产量
电压
范围（V ）
评论
高电压，
自举
科幻gure
2
MAX669
1.8〜 28
3V至28
连接V
CC
到V
OUT
。提供了最大的外部
用于低电压（输入<3V ）到高FET栅极驱动
电压（输出>5.5V ）升压电路。 V
OUT
不能
超过28V 。
连接V
OUT
到V
CC
和LDO 。
提供马克西
对于低电压妈妈可能的外部FET的栅极驱动
时代的设计，但限制了V
OUT
到5.5V或更小。
连接V
IN
到V
CC
。提供最广泛的输入和输出
放范围，但外部FET的栅极驱动器减少了对
V
IN
低于5V 。
连接V
IN
到V
CC
和LDO 。
FET的栅极驱动器
幅度 - V
IN
逻辑电源（输入3V至5.5V ）至
高电压（输出>5.5V ）升压电路。 IC能操作
阿婷功率小于在图4中，由于集成电路的电流
不通过的LDO稳压器。
连接V
CC
LDO和一个单独的电源
(V
BIAS
），该功率只在IC 。
FET的栅极驱动器
幅度 - V
BIAS
。输入电源（V
IN）
和
输出电压范围（V
OUT
）没有限制，
除了V
OUT
必须超过V
IN
.
低电压，
自举
科幻gure
3
MAX669
1.8〜5.5
2.7〜5.5
高电压，
非自举
科幻gure
4
MAX668
3至28
V
IN
to
∞
低电压，
非自举
科幻gure
5
MAX668
2.7〜5.5
V
IN
to
∞
额外的IC电源，
非自举
无
MAX668
不
限制
V
IN
to
∞
*
对于标准的升压型DC-DC电路（如在图2，3 ，4和5） ，调节不能保持若V
IN
超过V
OUT
。 SEPIC
和基于变压器的电路不具有这种限制。
除了在表2所示的结构中，
选择已配时遵循以下原则可以帮助
uration ：
1 ）如果V
IN
是有史以来低于2.7V ，V
CC
必须
是自举
绑V
OUT
和MAX669必须使用。如果
V
OUT
不超过5.5V ， LDO可缩短至
V
CC
和V
OUT
消除的压差电压
LDO稳压器。
2 ）如果V
IN
大于3.0V ，V
CC
可以是有源
从V
IN
的，而不是从V
OUT
（非自举） 。
这样可以节省静态功耗，埃斯佩
cially当V
OUT
是大的。如果V
IN
从来没有超过
5.5V ， LDO可能短路到V
CC
和V
IN
以消除
奈特LDO稳压器的压差电压。
3 ）如果V
IN
在3V至4.5V范围内（即， 1节锂离子或
3节镍氢电池的范围内） ，引导V
CC
从
V
OUT
虽然不是必需的，可以整体提高
通过增加栅极驱动器（效率降低
FET电阻）的静态功耗为代价
消费。
4 ）如果V
IN
总是超过4.5V ，V
CC
应该连接到
V
IN
因为从V自举
OUT
不
从EXT增加栅极驱动器，但确实增加
静态功耗。
12
______________________________________________________________________________________
MAXIM [ MAXIM INTEGRATED PRODUCTS ]
