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LY61L5128
2.2版
512K ×8位高速CMOS SRAM
绝对最高可额定值*
参数
在V电压
CC
相对于V
SS
在任何其他引脚相对于V电压
SS
工作温度
储存温度
功耗
直流输出电流
符号
V
T1
V
T2
T
A
T
英镑
P
D
I
OUT
等级
-0.5到4.6
-0.5到V
CC
+0.5
0 〜70 （C级）
-20 〜80 （E级）
-40 〜85 （ I级）
-65到150
1
50
单位
V
V
℃
℃
W
mA
*应力大于“绝对最大额定值”，可能对器件造成永久性损坏。这是一个应力
值仅为该设备甚至超过上述的这个业务部门所标明的任何其他条件的功能操作
规范是不是暗示。暴露在绝对最大额定值条件下长时间工作会影响器件的可靠性。
真值表
模式
待机
输出禁用
读
写
注意：
CE＃
H
L
L
L
OE ＃
X
H
L
X
WE＃
X
H
H
L
I / O操作
高-Z
高-Z
D
OUT
D
IN
电源电流
I
SB1
I
CC
I
CC
I
CC
H = V
IH
中，L = V
IL
，X =无关。
DC电气特性
参数
电源电压
输入高电压
输入低电压
输入漏电流
输出漏
当前
输出高电压
输出低电压
平均开工
电源电流
符号
V
CC
V
IH
*2
V
IL
I
LI
I
LO
V
OH
V
OL
*1
测试条件
10/12
15/20/25
V
CC
≧
V
IN
≧
V
SS
V
CC
≧
V
OUT
≧
V
SS
,
输出禁用
I
OH
= -4mA
I
OL
= 8毫安
10
12
周期时间=最小。
CE＃ = V
IL
, I
I / O
= 0毫安
15
其他在V
IH
或V
IL
20
25
10/12/15
CE＃
≧
V
CC
- 0.2V,
20/25
其他人在0.2V或V
CC
- 0.2V
20/25LL
分钟。
3.15
3.0
2.2
- 0.3
-1
-1
2.4
-
-
-
-
-
-
-
-
-
典型值。
3.3
3.3
-
-
-
-
-
-
-
-
-
50
45
-
0.5
20
*4
马克斯。
3.6
3.6
V
CC
+0.3
0.6
1
1
-
0.4
180
160
140
80
70
12
5
5*
6
100*
单位
V
V
V
V
µA
µA
V
V
mA
mA
mA
mA
mA
mA
mA
µA
I
CC
待机功耗
电源电流
I
SB1
5楼， 2号，工业东路。九，科学工业园区，新竹300 ，台湾。
电话： 886-3-6668838
传真： 886-3-6668836
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4
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