LY61L5128LLE 参数 Datasheet PDF下载

型号：	LY61L5128LLE
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内容描述：	512K ×8位高速CMOS SRAM [512K X 8 BIT HIGH SPEED CMOS SRAM]
分类和应用：	静态存储器
文件页数/大小：	15 页 / 229 K
品牌：	LYONTEK [ Lyontek Inc. ]

LY61L5128

2.2版

512K ×8位高速CMOS SRAM

数据保持特性

参数

符号

测试条件

数据保留

CE＃

≧

- 0.2V

10/12/15

= 2.0V

CE＃

≧

- 0.2V

数据保持电流

20/25

其他人在0.2V或V

- 0.2V 20 / 25LL

看到数据保留

芯片禁用到数据

CDR

波形（下）

保留时间

恢复时间

=读周期时间

分钟。

2.0

典型值。

0.5

马克斯。

3.6

单位

µA

数据保存波形

≧

2.0V

VCC

VCC （分钟）

CDR

CE＃

≧

Vcc-0.2V

VCC （分钟）

5楼， 2号，工业东路。九，科学工业园区，新竹300 ，台湾。

电话： 886-3-6668838

传真： 886-3-6668836

Lyontek公司

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