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LY61L5128
2.2版
512K ×8位高速CMOS SRAM
概述
该LY61L5128是4,194,304位低功耗CMOS
静态随机存取存储器组织为524288
字由8位。它采用非常高的制作
高性能，高可靠性的CMOS技术。其
待机电流的范围内，稳定
工作温度。
该LY61L5128是精心设计的功耗非常低
系统的应用，并且特别适用于
电池备份非易失性存储器应用。
该LY61L5128单电源工作
电源3.3V和所有输入和输出完全
TTL兼容
特点
快速存取时间：10 /12/ 15/20 / 25ns的
极低的功耗：
工作电流（普通版） ：
180/160/140/80/70mA(MAX.)
12毫安（最大支持10/ 12 / 15ns的）
5毫安（最大为20 / 25ns的）
100μA （ （最大为20 / 25ns的LL版）
单3.3V电源
所有输入和输出TTL兼容
全静态操作
三态输出
数据保持电压： 2.0V （ MIN ）
提供绿色包装
封装： 32引脚采用8mm x 20毫米TSOP -I
32引脚采用8mm x 13.4毫米STSOP
44引脚400密耳的TSOP -II
36球的6mm x 8毫米TFBGA
产品系列
产品
操作
家庭
温度
0 ~ 70℃
LY61L5128
-20 ~ 80℃
LY61L5128(E)
-40 ~ 85℃
LY61L5128(I)
0 ~ 70℃
LY61L5128
-20 ~ 80℃
LY61L5128(E)
-40 ~ 85℃
LY61L5128(I)
0 ~ 70℃
LY61L5128(LL)
LY61L5128 （ LLE ） -20〜 80 ℃
LY61L5128 （ LLI ） -40 〜 85 ℃
VCC范围
3.15/3.0 ~ 3.6V
3.15/3.0 ~ 3.6V
3.15/3.0 ~ 3.6V
3.0 ~ 3.6V
3.0 ~ 3.6V
3.0 ~ 3.6V
3.0 ~ 3.6V
3.0 ~ 3.6V
3.0 ~ 3.6V
速度
10/12/15ns
10/12/15ns
10/12/15ns
20/25ns
20/25ns
20/25ns
20/25ns
20/25ns
20/25ns
功耗
待机（我
SB1,
MAX 。 ）工作（ICC ， MAX 。 ）
12mA
180/160/140mA
12mA
180/160/140mA
12mA
180/160/140mA
5mA
80/70mA
5mA
80/70mA
5mA
80/70mA
100µA
80/70mA
100µA
80/70mA
100µA
80/70mA
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电话： 886-3-6668838
传真： 886-3-6668836
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