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LY61L2568
修订版0.4
256K ×8位高速CMOS SRAM
绝对最高可额定值*
参数
在V电压
CC
相对于V
SS
在任何其他引脚相对于V电压
SS
工作温度
储存温度
功耗
直流输出电流
符号
V
T1
V
T2
T
A
T
英镑
P
D
I
OUT
等级
-0.5到4.6
-0.5到V
CC
+0.5
0 〜70 （C级）
-65到150
1
50
单位
V
V
℃
℃
W
mA
*应力大于“绝对最大额定值”，可能对器件造成永久性损坏。这是一个应力
值仅为该设备甚至超过上述的这个业务部门所标明的任何其他条件的功能操作
规范是不是暗示。暴露在绝对最大额定值条件下长时间工作会影响器件的可靠性。
真值表
模式
待机
输出禁用
读
写
注意：
CE＃
H
L
L
L
OE ＃
X
H
L
X
WE＃
X
H
H
L
I / O操作
高-Z
高-Z
D
OUT
D
IN
电源电流
I
SB1
I
CC
I
CC
I
CC
H = V
IH
中，L = V
IL
，X =无关。
DC电气特性
符号
测试条件
参数
电源电压
V
CC
*1
输入高电压
V
IH
*2
输入低电压
V
IL
输入漏电流
I
LI
V
CC
≧
V
IN
≧
V
SS
输出漏
V
CC
≧
V
OUT
≧
V
SS
,
I
LO
当前
输出禁用
输出高电压
V
OH
I
OH
= -1mA
输出低电压
V
OL
I
OL
= 2毫安
20
周期时间=最小。
平均开工
25
I
CC
CE＃ = V
IL
, I
I / O
= 0毫安
电源电流
20LL
其他在V
IL
或V
IH
25LL
正常
待机功耗
CE＃
≧
V
CC
- 0.2V
I
SB1
电源电流
其他人在0.2V或V
CC
- 0.2V 20 / 25LL
注意事项：
1. V
IH
（MAX） = V
CC
+ 3.0V的脉冲宽度小于10ns的。
2. V
IL
（分钟） = V
SS
- 3.0V的脉冲宽度小于10ns的。
3.过冲/下冲规范的特点，而不是100 ％测试。
4.典型值包括仅供参考，不保证或测试。
典型的价值V的测
CC
= V
CC
（ TYP。 ）和T
A
= 25℃
5. 1毫安的特殊要求
6. 20μA的特殊要求
分钟。
3.0
2.2
- 0.3
-1
-1
2.4
-
-
-
-
-
-
-
典型值。
3.3
-
-
-
-
-
-
110
90
40
35
0.5
10
*4
马克斯。
3.6
V
CC
+0.3
0.6
1
1
-
0.4
150
115
50
45
*5
5
*6
50
单位
V
V
V
µA
µA
V
V
mA
mA
mA
mA
mA
µA
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