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    LY61L2568MV 参数 Datasheet PDF下载

    LY61L2568MV图片预览
    型号： LY61L2568MV
    PDF下载： 下载PDF文件 查看货源
    内容描述： 256K ×8位高速CMOS SRAM [256K X 8 BIT HIGH SPEED CMOS SRAM]
    分类和应用： 静态存储器
    文件页数/大小： 11 页 / 147 K
    品牌： LYONTEK [ Lyontek Inc. ]
     浏览型号LY61L2568MV的Datasheet PDF文件第3页浏览型号LY61L2568MV的Datasheet PDF文件第4页浏览型号LY61L2568MV的Datasheet PDF文件第5页浏览型号LY61L2568MV的Datasheet PDF文件第6页浏览型号LY61L2568MV的Datasheet PDF文件第7页浏览型号LY61L2568MV的Datasheet PDF文件第9页浏览型号LY61L2568MV的Datasheet PDF文件第10页浏览型号LY61L2568MV的Datasheet PDF文件第11页  
    ®
    LY61L2568
    修订版0.4
    256K ×8位高速CMOS SRAM
    数据保持特性
    参数
    符号测试条件
    V
    CC
    数据保留
    V
    DR
    CE＃
    ≧
    V
    CC
    - 0.2V
    V
    CC
    = 2.0V
    正常
    数据保持电流
    I
    DR
    CE＃
    ≧
    V
    CC
    - 0.2V
    其他人在0.2V或V
    CC
    - 0.2V 20 / 25LL
    看到数据保留
    芯片禁用到数据
    t
    CDR
    波形（下）
    保留时间
    恢复时间
    t
    R
    t
    RC
    *
    =读周期时间
    分钟。
    2.0
    -
    -
    0
    t
    RC
    *
    典型值。
    -
    0.5
    5
    -
    -
    马克斯。
    3.6
    1
    40
    -
    -
    单位
    V
    mA
    µA
    ns
    ns
    数据保存波形
    V
    DR
    ≧
    2.0V
    VCC
    VCC （分钟）
    t
    CDR
    CE＃
    V
    IH
    CE＃
    ≧
    Vcc-0.2V
    VCC （分钟）
    t
    R
    V
    IH
    Lyontek公司
    保留权利更改规格和产品，恕不另行通知。
    5楼， 2号，工业东路。九，科学工业园区，新竹300 ，台湾。
    电话： 886-3-6668838
    传真： 886-3-6668836
    7

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