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LY61L2568
修订版0.4
256K ×8位高速CMOS SRAM
概述
该LY61L2568是2,097,152位低功耗CMOS
静态随机存取存储器组织为262144
字由8位。它采用非常高的制作
高性能，高可靠性的CMOS技术。其
待机电流的范围内，稳定
工作温度。
该LY61L2568是精心设计的功耗非常低
系统的应用，并且特别适用于
电池备份非易失性存储器应用。
该LY61L2568单电源工作
电源3.3V和所有输入和输出完全
TTL兼容
特点
快速存取时间： 20 / 25ns的
极低的功耗：
工作电流（普通版） ：
110/90mA(TYP.)
工作电流（ 20 / 25ns的LL版）：
40/35mA(TYP.)
待机电流（普通版） ：
0.5mA(TYP.)
待机电流（ 20 / 25ns的LL版）：
10µA(TYP.)
单3.3V电源
所有输入和输出TTL兼容
全静态操作
三态输出
数据保持电压： 2.0V （ MIN ）
提供绿色包装
封装： 44引脚400密耳的TSOP -II
产品系列
产品
家庭
LY61L2568
LY61L2568(LL)
操作
温度
0 ~ 70℃
0 ~ 70℃
VCC范围
3.0 ~ 3.6V
3.0 ~ 3.6V
速度
20/25ns
20/25ns
功耗
待机（我
SB1,
TYP 。 ）工作（ICC ， TYP 。 ）
0.5mA
110/90mA
10µA(LL)
40/35mA(LL)
Lyontek公司
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