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IRFB16N50KPBF 参数 Datasheet PDF下载

IRFB16N50KPBF图片预览
型号: IRFB16N50KPBF
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内容描述: 低栅极电荷Qg结果简单驱动要求 [Low Gate Charge Qg Results in Simple Drive Requirement]
分类和应用: 晶体栅极晶体管开关脉冲驱动局域网
文件页数/大小: 7 页 / 2713 K
品牌: KERSEMI [ Kersemi Electronic Co., Ltd. ]
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IRFB16N50K, SiHFB16N50K  
RD  
20  
15  
10  
5
VDS  
VGS  
D.U.T.  
RG  
+
V
-
DD  
10 V  
Pulse width 1 µs  
Duty factor 0.1 %  
Fig. 10a - Switching Time Test Circuit  
VDS  
90 %  
0
25  
50  
T
75  
100  
125  
150  
10 %  
VGS  
, Case Temperature (°C)  
C
td(on) tr  
td(off) tf  
Fig. 9 - Maximum Drain Current vs. Case Temperature  
Fig. 10b - Switching Time Waveforms  
1
D = 0.50  
0.1  
0.20  
0.10  
0.05  
0.02  
0.01  
0.01  
SINGLE PULSE  
( THERMAL RESPONSE )  
Notes:  
1. Duty Factor D = t1/t2  
2. Peak Tj = P dm x Zthjc + Tc  
0.001  
1E-006  
1E-005  
0.0001  
0.001  
0.01  
0.1  
1
t
, Rectangular Pulse Duration (sec)  
1
Fig. 11 - Maximum Effective Transient Thermal Impedance, Junction-to-Case  
VDS  
15 V  
tp  
Driver  
L
V
DS  
D.U.T.  
R
G
+
-
V
DD  
I
A
AS  
IAS  
20 V  
0.01  
Ω
t
p
Fig. 12b - Unclamped Inductive Waveforms  
Fig. 12a - Unclamped Inductive Test Circuit  
5
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