欢迎访问ic37.com |
会员登录 免费注册
发布采购

FQPF4N60 参数 Datasheet PDF下载

FQPF4N60图片预览
型号: FQPF4N60
PDF下载: 下载PDF文件 查看货源
内容描述: 600V N沟道MOSFET [600V N-Channel MOSFET]
分类和应用: 晶体晶体管开关脉冲局域网
文件页数/大小: 7 页 / 726 K
品牌: KERSEMI [ Kersemi Electronic Co., Ltd. ]
 浏览型号FQPF4N60的Datasheet PDF文件第1页浏览型号FQPF4N60的Datasheet PDF文件第2页浏览型号FQPF4N60的Datasheet PDF文件第3页浏览型号FQPF4N60的Datasheet PDF文件第5页浏览型号FQPF4N60的Datasheet PDF文件第6页浏览型号FQPF4N60的Datasheet PDF文件第7页  
3.0  
2.5  
2.0  
1.5  
1.0  
0.5  
0.0  
1.2  
1.1  
1.0  
0.9  
0.8  
Notes:  
1. VGS = 0 V  
Notes :  
A
2. ID= 250  
1. V = 10 V  
2. IDG=S 2.2 A  
-100  
-50  
0
50  
100  
150  
200  
-100  
-50  
0
50  
100  
150  
200  
T, Junction Temperature [oC]  
T, Junction Temperature [oC]  
J
J
Figure 7. Breakdown Voltage Variation  
vs. Temperature  
Figure 8. On-Resistance Variation  
vs. Temperature  
3.0  
2.5  
2.0  
1.5  
1.0  
0.5  
0.0  
Operation in This Area  
is Limited by R DS(on)  
101  
100 µs  
1 ms  
10 ms  
100 ms  
100  
DC  
-1  
10  
Notes :  
1. TC = 25 o  
C
2. TJ = 150 o  
C
3. Single Pulse  
-2  
10  
100  
101  
102  
103  
25  
50  
75  
100  
125  
150  
TC, Case Temperature [  
]
VDS, Drain-Source Voltage [V]  
Figure 9. Maximum Safe Operating Area  
Figure 10. Maximum Drain Current  
vs. Case Temperature  
D = 0 .5  
1 0 0  
0 .2  
N o te s  
1 . J C(t)  
2 . D u ty F a c to r, D = t1 /t2  
:
/W M a x .  
Z
=
3 .4 7  
0 .1  
3 . T J M  
-
T C  
=
P D  
*
Z
J C(t)  
M
0 .0 5  
1 0-1  
0 .0 2  
PDM  
0 .0 1  
t1  
t2  
s in g le p u ls e  
1 0-2  
1 0 -5  
1 0-4  
1 0 -3  
1 0 -2  
1 0 -1  
1 0 0  
1 0 1  
t1 , S q u a re W a v e P u ls e D u ra tio n [s e c ]  
Figure 11. Transient Thermal Response Curve