R
JCS12N60T
电特性 ELECTRICAL CHARACTERISTICS
开关特性Switching Characteristics
延迟时间Turn-On delay time
上升时间Turn-On rise time
延迟时间Turn-Off delay time
下降时间Turn-Off Fall time
栅极电荷总量Total Gate Charge
栅－源电荷Gate-Source charge
栅－漏电荷Gate-Drain charge
td(on)
tr
VDD=300V,ID=12A,RG=25Ω
（note 4，5）
-
-
-
-
-
-
-
78 102 ns
133 175 ns
233 305 ns
104 160 ns
td(off)
tf
VDS =480V ,
Qg
39 52
nC
nC
nC
ID=12A
Qgs
Qgd
8.5
20
-
-
VGS =10V （note 4，5）
漏－源二极管特性及最大额定值 Drain-Source Diode Characteristics and Maximum Ratings
正向最大连续电流
Maximum Continuous Drain
-Source Diode Forward Current
正向最大脉冲电流
IS
-
-
-
-
-
-
12
48
A
A
V
Maximum Pulsed Drain-Source
Diode Forward Current
正向压降
ISM
Drain-Source Diode Forward
Voltage
VSD
VGS=0V,
IS=12A
1.39
反向恢复时间
trr
-
-
418
-
-
ns
Reverse recovery time
反向恢复电荷
VGS=0V, IS=12A
dIF/dt=100A/μs
(note 4)
Qrr
4.85
μC
Reverse recovery charge
热特性THERMAL CHARACTERISTIC
最大
Max
项
目
符 号
单 位
Parameter
Symbol
Unit
JCS12N60CT
JCS12N60FT
结到管壳的热阻
Rth(j-c)
Rth(j-A)
0.5
2.45
℃/W
℃/W
Thermal Resistance, Junction to Case
结到环境的热阻
62.5
62.5
Thermal Resistance, Junction to Ambient
Notes:
注释：
1：Pulse width limited by maximum junction
1 脉冲宽度由最高结温限制
2：L=11.2mH, IAS=12A, VDD=50V, RG=25 Ω,起始结
温TJ=25℃
temperature
2：L=11.2mH, IAS=12A, VDD=50V, RG=25 Ω,Starting
TJ=25℃
3：ISD ≤12A,di/dt ≤300A/μs,VDD≤BVDSS,起始结温
TJ=25℃
3：ISD ≤12A,di/dt ≤300A/μs,VDD≤BVDSS, Starting
TJ=25℃
4：脉冲测试：脉冲宽度≤300μs,占空比≤2％
5：基本与工作温度无关
4：Pulse Test：Pulse Width ≤300μs,Duty Cycle≤2％
5：Essentially independent of operating temperature
版本：201010C
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JSMC [ JILIN SINO-MICROELECTRONICS CO., LTD. ]
