欢迎访问ic37.com |
会员登录 免费注册
发布采购

JCS12N60CT-O-C-N-B 参数 Datasheet PDF下载

JCS12N60CT-O-C-N-B图片预览
型号: JCS12N60CT-O-C-N-B
PDF下载: 下载PDF文件 查看货源
内容描述: N沟道MOSFET [N-CHANNEL MOSFET]
分类和应用:
文件页数/大小: 10 页 / 1126 K
品牌: JSMC [ JILIN SINO-MICROELECTRONICS CO., LTD. ]
 浏览型号JCS12N60CT-O-C-N-B的Datasheet PDF文件第1页浏览型号JCS12N60CT-O-C-N-B的Datasheet PDF文件第3页浏览型号JCS12N60CT-O-C-N-B的Datasheet PDF文件第4页浏览型号JCS12N60CT-O-C-N-B的Datasheet PDF文件第5页浏览型号JCS12N60CT-O-C-N-B的Datasheet PDF文件第6页浏览型号JCS12N60CT-O-C-N-B的Datasheet PDF文件第7页浏览型号JCS12N60CT-O-C-N-B的Datasheet PDF文件第8页浏览型号JCS12N60CT-O-C-N-B的Datasheet PDF文件第9页  
R
JCS12N60T  
绝对最大额定值 ABSOLUTE RATINGS (Tc=25)  
数 值  
Value  
符 号  
单 位  
Parameter  
Symbol  
Unit  
JCS12N60CT JCS12N60FT  
最高漏极-源极直流电压  
VDSS  
600  
600  
V
Drain-Source Voltage  
ID  
12  
12*  
A
A
连续漏极电流  
T=25℃  
T=100℃  
Drain Current  
-continuous  
7.6  
7.6*  
最大脉冲漏极电流1)  
Drain Current - pulse  
最高栅源电压  
IDM  
48  
48*  
A
V
note 1)  
VGSS  
EAS  
IAR  
±30  
880  
12  
Gate-Source Voltage  
单脉冲雪崩能量2)  
mJ  
A
Single Pulsed Avalanche Energynote 2)  
雪崩电流1)  
Avalanche Currentnote 1)  
重复雪崩能量1)  
EAR  
dv/dt  
25  
mJ  
V/ns  
Repetitive Avalanche Currentnote 1)  
二极管反向恢复最大电压变化速率3)  
Peak Diode Recovery dv/dtnote 3)  
4.5  
PD  
250  
2.0  
51  
W
TC=25℃  
-Derate  
above  
25℃  
耗散功率  
Power Dissipation  
0.41  
W/℃  
最高结温及存储温度  
Operating and Storage Temperature  
Range  
TJTSTG  
55+150  
引线最高焊接温度  
Maximum Lead Temperature for  
Soldering Purposes  
TL  
300  
*漏极电流由最高结温限制  
*Drain current limited by maximum junction temperature  
版本:201010C  
2/10