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IXSN52N60AU1 参数 Datasheet PDF下载

IXSN52N60AU1图片预览
型号: IXSN52N60AU1
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内容描述: IGBT与二极管Combi机包 - 短路SOA能力 [IGBT with Diode Combi Pack - Short Circuit SOA Capability]
分类和应用: 二极管双极性晶体管
文件页数/大小: 5 页 / 150 K
品牌: IXYS [ IXYS CORPORATION ]
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IXSN52N60AU1  
Fig.1 Saturation Characteristics  
Fig.2 Output Characterstics  
80  
70  
60  
50  
40  
30  
20  
10  
0
200  
180  
160  
140  
120  
100  
80  
13V  
TJ = 25°C  
VGE = 15V  
TJ = 25°C  
VGE = 15V  
11V  
13V  
11V  
7V  
60  
9V  
7V  
40  
9V  
20  
0
0
1
2
3
4
5
0
2
4
6
8
10 12 14 16 18 20  
VCE - Volts  
VCE - Volts  
Fig.3 Collector-Emitter Voltage  
vs. Gate-Emitter Voltage  
Fig.4 Temperature Dependence  
of Output Saturation Voltage  
10  
9
8
7
6
5
4
3
2
1
0
1.5  
1.4  
1.3  
1.2  
1.1  
1.0  
0.9  
0.8  
0.7  
TJ = 25°C  
VGE=15V  
IC = 80A  
IC = 80A  
IC = 40A  
IC = 20A  
IC = 40A  
I
C = 20A  
8
9
10  
11  
12  
13  
14  
15  
-50 -25  
0
25 50 75 100 125 150  
TJ - Degrees C  
VGE - Volts  
Fig.5 Input Admittance  
Fig.6 Temperature Dependence of  
Breakdown and Threshold Voltage  
80  
70  
60  
50  
40  
30  
20  
10  
0
1.3  
1.2  
1.1  
1.0  
0.9  
0.8  
0.7  
VCE = 10V  
BVCES  
IC = 3mA  
TJ = 25°C  
TJ = 125°C  
VGE8th)  
TJ = - 40°C  
IC = 4mA  
4
5
6
7
8
9
10 11 12 13  
-50 -25  
0
25 50 75 100 125 150  
TJ - Degrees C  
VGE - Volts  
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