IS62/65WV2568DALL
IS62/65WV2568DBLL
256K x 8 LOW VOLTAGE,
超低功耗CMOS静态RAM
特点
•高速存取时间： 35ns的，为45nS ， 55ns
• CMOS低功耗运行
– 36 mW (typical) operating
– 9 µW (typical) CMOS standby
• TTL兼容接口电平
•单电源
– 1.8V ± 10% V
cc
(IS62/65WV2568DALL)
– 2.5V–3.6V V
cc
(IS62/65WV2568DBLL)
•全静态操作：无时钟或刷新
需要
•三态输出
•工业应用温度
•无铅可
FEBRUARY 2012
是高速， 2M位静态RAM组织为
256K words by 8 bits. It is fabricated using
ISSI
的高
高性能CMOS技术。他高度可靠的工艺
T
再加上创新的电路设计技术，产量
高性能和低功耗的器件。
什么时候？
CS1
高（取消），或者当CS2为低
（取消）时，器件呈现出待机状态下，在
该功率耗散可以用减至
CMOS输入电平。
易内存扩展，通过使用芯片使能提供
和输出使能输入。该低电平有效写使能
（WE ）控制写入和读取的存储器。
The IS62/65WV2568DALL and IS62/65WV2568DBLL are
packaged in the JEDEC standard 32-pin TSOP (TYPE I),
sTSOP (TYPE I), and 36-pin mini BGA.
描述
该
ISSI
IS62/65WV2568DALL and IS62/65WV2568DBLL
功能框图
A0-A17
解码器
256K ×8
存储阵列
VCC
GND
I / O
数据
电路
I/O0-I/O7
列I / O
CS2
CS1
OE
WE
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控制
电路
集成的芯片解决方案，公司 - www.issi.com -
1-800-379-4774
版本A
02/09/2012
1
ISSI [ INTEGRATED SILICON SOLUTION, INC ]
