IS62/65WV2568DALL, IS62/65WV2568DBLL
写周期开关特性
(1,2)
（以上经营范围）
35ns
符号
t
Wc
t
SCS
1
/ TSCS
2
t
AW
t
hA
t
SA
t
PWE
t
SD
t
hD
t
HZWE
t
LZWE
注意事项：
1.试验条件和输出负载条件在AC测试条件和交流测试负载（图1）中指定。
2.内部写入时间由低CS1 ，CS2很高，我们低的重叠定义。所有信号必须在有效状态，以
开始写的，但任何一个可以变为无效，终止写入。数据输入建立时间和保持时间都参考了
上升或下降并因此终止了写入的信号的边沿。
3.在图测试与负载2的过渡，从稳态电压测量± 500毫伏。未经100％测试。
45ns
分钟。
45
35
35
0
0
35
20
0
—
5
马克斯。
—
—
—
—
—
—
—
—
20
—
—
—
—
—
—
—
—
—
20
—
55
45
45
0
0
40
25
0
—
5
55ns
分钟。
马克斯。
—
—
—
—
—
—
—
—
20
—
单位
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
参数
写周期时间
CS1/CS2 to Write End
地址建立时间撰写完
从写端地址保持
Addrress建立时间
WE脉冲宽度
数据建立到写结束
从写端数据保持
WE低到高-Z输出
我们前高后低-Z输出
分钟。
35
25
25
0
0
30
15
0
—
5
马克斯。
交流波形
WRITE CYCLE NO. 1 (CS1/CS2 Controlled, OE = HIGH or LOW)
t
WC
地址
t
SCS1
t
HA
CS1
t
SCS2
CS2
t
AW
t
PWE
t
SA
t
HZWE
高-Z
WE
t
LZWE
DOUT
数据中，未定义
t
SD
t
HD
DIN
DATA-内有效
8
集成的芯片解决方案，公司 - www.issi.com
版本A
02/09/2012
ISSI [ INTEGRATED SILICON SOLUTION, INC ]
