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    65WV2568DALL 参数 Datasheet PDF下载

    65WV2568DALL图片预览
    型号： 65WV2568DALL
    PDF下载： 下载PDF文件 查看货源
    内容描述： 256K ×8低电压，超低功耗CMOS静态RAM [256K x 8 LOW VOLTAGE, ULTRA LOW POWER CMOS STATIC RAM]
    分类和应用：
    文件页数/大小： 14 页 / 493 K
    品牌： ISSI [ INTEGRATED SILICON SOLUTION, INC ]
     浏览型号65WV2568DALL的Datasheet PDF文件第2页浏览型号65WV2568DALL的Datasheet PDF文件第3页浏览型号65WV2568DALL的Datasheet PDF文件第4页浏览型号65WV2568DALL的Datasheet PDF文件第5页浏览型号65WV2568DALL的Datasheet PDF文件第7页浏览型号65WV2568DALL的Datasheet PDF文件第8页浏览型号65WV2568DALL的Datasheet PDF文件第9页浏览型号65WV2568DALL的Datasheet PDF文件第10页  
    IS62/65WV2568DALL,  IS62/65WV2568DBLL 
    读周期开关特性
    (1)
     
    （以上经营范围）
    35ns
    符号
    t
    rc
    t
    AA
    t
    OHA
    t
    ACS
    1
    /t
    ACS
    2
    t
    美国能源部
    t
    HZOE
    (2)
    t
    LZOE
    (2)
    t
    HZCS
    1
    /t
    HZCS
    2
    (2)
    t
    LZCS
    1
    /t
    LZCS
    2
    (2)
    参数
    读周期时间
    地址访问时间
    输出保持时间
    CS1/CS2 Access Time
    OE访问时间
    OE为输出高阻态
    OE为低阻抗输出
    CS1/CS2 to High-Z Output
    CS1/CS2 to Low-Z Output
    分钟。
    35
    —
    10
    —
    —
    —
    5
    0
    10
    马克斯。
    —
    35
    —
    35
    15
    10
    —
    10
    —
    45
    —
    10
    —
    —
    —
    5
    0
    10
    45ns
    分钟。
    马克斯。
    —
    45
    —
    45
    20
    15
    —
    15
    —
    55
    —
    10
    —
    —
    —
    5
    0
    10
    55ns
    分钟。
    马克斯。
    —
    55
    —
    55
    25
    20
    —
    20
    —
    单位
    ns
    ns
    ns
    ns
    ns
    ns
    ns
    ns
    ns
    注意事项：
    1.试验条件和输出负载条件在AC测试条件和交流测试负载（图1）中指定。
    2.在图测试与负载2的过渡，从稳态电压测量± 500毫伏。未经100％测试。
    交流波形
    READ CYCLE NO. 1
    (1,2) 
    (Address Controlled) (CS1 = OE = V
    IL
    ， CS2 = WE = V
    Ih
    )
    t
    RC
    地址
    t
    AA
    t
    OHA
    t
    OHA
    数据有效
    D
    OUT
    以前的数据有效
    6
    集成的芯片解决方案，公司 - www.issi.com
    版本A
    02/09/2012

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