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IS63LV1024L-10JLI 参数 Datasheet PDF下载

IS63LV1024L-10JLI图片预览
型号: IS63LV1024L-10JLI
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内容描述: 128K ×8高速CMOS静态RAM 3.3V革命引脚 [128K x 8 HIGH-SPEED CMOS STATIC RAM 3.3V REVOLUTIONARY PINOUT]
分类和应用: 存储内存集成电路静态存储器光电二极管
文件页数/大小: 18 页 / 615 K
品牌: ISSI [ INTEGRATED SILICON SOLUTION, INC ]
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IS63LV1024  
IS63LV1024L  
DATA RETENTION SWITCHING CHARACTERISTICS  
Symbol  
VDR  
Parameter  
Test Condition  
Options  
Min.  
Typ.(1)  
Max.  
Unit  
V
VDD for Data Retention  
Data Retention Current  
See Data Retention Waveform  
VDD = 2.0V, CE VDD – 0.2V  
2.0  
3.6  
IDR  
IS63LV1024  
0.5  
10  
mA  
IS63LV1024L  
0.05  
1.5  
tSDR  
tRDR  
Data Retention Setup Time  
Recovery Time  
See Data Retention Waveform  
0
ns  
ns  
See Data Retention Waveform  
tRC  
O
Note 1: Typical values are measured at VDD = 3.0V, T  
A
= 25 C and not 100% tested.  
DATA RETENTION WAVEFORM (CE Controlled)  
tSDR  
Data Retention Mode  
tRDR  
VDD  
VDR  
CE VDD - 0.2V  
CE  
GND  
Integrated Silicon Solution, Inc. — www.issi.com — 1-800-379-4774  
9
Rev. I  
1/26/07