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IC41C8512-35KI 参数 Datasheet PDF下载

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型号: IC41C8512-35KI
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内容描述: [EDO DRAM, 512KX8, 35ns, CMOS, PDSO28, 0.400 INCH, SOJ-28]
分类和应用: 动态存储器光电二极管内存集成电路
文件页数/大小: 21 页 / 202 K
品牌: ISSI [ INTEGRATED SILICON SOLUTION, INC ]
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IC41C8512  
IC41LV8512  
EDO-PAGE-MODE READ-WRITE CYCLE (LATE WRITE and READ-MODIFY WRITE Cycles)  
t
RASP  
t
RP  
RAS  
CAS  
(1)  
tPC / tPRWC  
t
CSH  
t
RSH  
CLCH  
t
CRP  
t
RCD  
t
CAS,  
t
CLCH  
t
CP  
t
CAS,  
t
CLCH  
t
CP  
t
CAS,  
t
tCP  
t
AR  
t
ASR  
t
t
RAD  
t
RAL  
t
ASC  
t
CAH  
t
ASC  
t
CAH  
t
ASC  
tCAH  
RAH  
ADDRESS  
Row  
Column  
Column  
Column  
Row  
tRWD  
tRCS  
t
t
t
RWL  
CWL  
WP  
t
t
CWL  
WP  
t
t
CWL  
WP  
t
AWD  
t
AWD  
t
AWD  
t
CWD  
t
CWD  
t
CWD  
WE  
t
AA  
t
AA  
CPA  
t
AA  
tCPA  
t
t
RAC  
t
DH  
DS  
t
DH  
DS  
t
DH  
tDS  
t
t
t
CAC  
t
CAC  
t
CAC  
t
CLZ  
t
CLZ  
t
CLZ  
Open  
Open  
I/O  
OE  
DOUT  
DIN  
OD  
DOUT  
DIN  
OD  
DOUT  
DIN  
OD  
t
t
t
t
OE  
t
OE  
tOE  
t
OEH  
Undefined  
Don’t Care  
Note:  
1. tPC is for LATE write cycles only. tPC can be measured from falling edge of CAS to falling edge of CAS, or from rising edge of  
CAS to rising edge of CAS. Both measurements must meet the tPC specifications.  
16  
Integrated Circuit Solution Inc.  
DR029-0A 09/28/2001  
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