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IC41C8512-35KI 参数 Datasheet PDF下载

IC41C8512-35KI图片预览
型号: IC41C8512-35KI
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内容描述: [EDO DRAM, 512KX8, 35ns, CMOS, PDSO28, 0.400 INCH, SOJ-28]
分类和应用: 动态存储器光电二极管内存集成电路
文件页数/大小: 21 页 / 202 K
品牌: ISSI [ INTEGRATED SILICON SOLUTION, INC ]
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IC41C8512  
IC41LV8512  
EDO-PAGE-MODE READ CYCLE  
t
RASP  
t
RP  
RAS  
(1)  
PC  
t
CSH  
t
t
RSH  
t
CRP  
t
CAS,  
t
CP  
t
CAS,  
t
CP  
t
CAS,  
tCP  
t
RCD  
t
CLCH  
t
CLCH  
tCLCH  
CAS  
t
AR  
t
RAD  
t
RAL  
CAH  
t
ASR  
t
ASC  
t
CAH  
t
ASC  
t
CAH  
t
ASC  
t
ADDRESS  
WE  
Row  
Column  
Column  
Column  
Row  
t
RAH  
t
RRH  
t
RCS  
t
RCH  
t
AA  
t
AA  
t
AA  
t
RAC  
CAC  
CLZ  
t
CPA  
t
CPA  
t
t
t
CAC  
t
t
CAC  
CLZ  
t
COH  
t
OFF  
Open  
Open  
Valid Data  
Valid Data  
Valid Data  
I/O  
OE  
t
OE  
t
OEHC  
tOE  
t
OD  
t
OES  
t
OD  
t
OES  
t
OEP  
Undefined  
Don’t Care  
Note:  
1. tPC can be measured from falling edge of CAS to falling edge of CAS, or from rising edge of CAS to rising edge of CAS. Both  
measurements must meet the tPC specifications.  
14  
Integrated Circuit Solution Inc.  
DR029-0A 09/28/2001  
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