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    AS7C33256NTD36A-133TQCN 参数 Datasheet PDF下载

    AS7C33256NTD36A-133TQCN图片预览
    型号： AS7C33256NTD36A-133TQCN
    PDF下载： 下载PDF文件 查看货源
    内容描述： [ZBT SRAM, 256KX36, 4.2ns, CMOS, PQFP100, 14 X 20 MM, LEAD FREE, TQFP-100]
    分类和应用： 静态存储器内存集成电路
    文件页数/大小： 19 页 / 441 K
    品牌： ISSI [ INTEGRATED SILICON SOLUTION, INC ]
     浏览型号AS7C33256NTD36A-133TQCN的Datasheet PDF文件第10页浏览型号AS7C33256NTD36A-133TQCN的Datasheet PDF文件第11页浏览型号AS7C33256NTD36A-133TQCN的Datasheet PDF文件第12页浏览型号AS7C33256NTD36A-133TQCN的Datasheet PDF文件第13页浏览型号AS7C33256NTD36A-133TQCN的Datasheet PDF文件第15页浏览型号AS7C33256NTD36A-133TQCN的Datasheet PDF文件第16页浏览型号AS7C33256NTD36A-133TQCN的Datasheet PDF文件第17页浏览型号AS7C33256NTD36A-133TQCN的Datasheet PDF文件第18页  
    AS7C33256NTD32A  
    AS7C33256NTD36A  
    ®
    NOP, stall and deselect cycles  
    CLK  
    CEN  
    CE1  
    CE0, CE2  
    ADV/LD  
    R/W  
    BWn  
    A1  
    A2  
    A3  
    Address  
    Q(A1Ý01)  
    Q(A1  
    Ý
    10)  
    D(A2)  
    Q(A1)  
    D/Q  
    Burst  
    NOP  
    D(A2Ý01  
    Write  
    NOP  
    D(A3)  
    Read  
    Q(A1)  
    STALL  
    DSEL  
    Burst  
    Q(A1Ý01  
    Command  
    Burst  
    Q(A1Ý10)  
    Burst  
    DSEL  
    Write  
    D(A2)  
    Burst  
    D(A2Ý10)  
    )
    )
    Note: Ý = XOR when LBO = high/no connect; Ý = ADD when LBO = low. OE is low.  
    11/30/04, v. 2.1  
    Alliance Semiconductor  
    P. 14 of 19  

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