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    INA5002AP1 参数 Datasheet PDF下载

    INA5002AP1图片预览
    型号： INA5002AP1
    PDF下载： 下载PDF文件 查看货源
    内容描述： 对于低频功率放大PNP硅外延 [For low frequency power amplify Silicon PNP Epitaxial]
    分类和应用：
    文件页数/大小： 4 页 / 136 K
    品牌： ISAHAYA [ ISAHAYA ELECTRONICS CORPORATION ]
     浏览型号INA5002AP1的Datasheet PDF文件第1页浏览型号INA5002AP1的Datasheet PDF文件第2页浏览型号INA5002AP1的Datasheet PDF文件第4页  
    INA5002AP1
    For low frequency power amplify
    Silicon PNP Epitaxial
    GAIN BAND WIDTH PRODUCT fT(MHz)
    200
    GAIN BAND WIDTH PRODUCT
    VS. EMITTER CURRENT
    Ta=25℃
    VCE=-5V
    COLLECTOR OUTPUT CAPACITANCE
    VS. COLLECTOR TO BASE VOLTAGE
    1000
    Ta=25℃
    150
    COLLECTOR OUTPUT
    CAPACITANCE Cob(pF)
    100
    100
    10
    50
    0
    1
    10
    100
    1000
    EMITTER CURRENT IE(mA)
    1
    -0.1
    -1
    -10
    -100
    COLLECTOR TO BASE VOLTAGE VCB(V)
    ASO
    -100
    COLLECTOR CURRENT IC(A)
    100msec 10msec
    -10
    ICMmax=-6A
    ICmax=-3A
    1msec
    -1
    -0.1
    DC(500mW)
    -0.01
    Ta=25℃
    single pulse
    -0.001
    -0.01
    -0.1
    -1
    -10
    -100
    COLLECTOR TO EMITTERE VOLTAGE VCE(V)
    ISAHAYA ELECTRONICS CORPORATION
    VCEOmax=-60V
    1sec

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