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IRLML6302TRPBF 参数 Datasheet PDF下载

IRLML6302TRPBF图片预览
型号: IRLML6302TRPBF
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内容描述: HEXFET®功率MOSFET [HEXFET® Power MOSFET]
分类和应用: 晶体小信号场效应晶体管开关光电二极管
文件页数/大小: 8 页 / 285 K
品牌: IRF [ INTERNATIONAL RECTIFIER ]
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IRLML6302PbF
180
160
140
-V
GS
,栅 - 源极电压( V)
C
国际空间站
V
GS
= 0V,
F = 1MHz的
C
国际空间站
= C
gs
+ C
gd
, C
ds
C
RSS
= C
gd
C
OSS
= C
ds
+ C
gd
10
I
D
= -0.61A
V
DS
= -16V
8
C,电容(pF )
120
100
80
60
40
20
0
1
C
OSS
6
C
RSS
4
2
10
100
A
0
0.0
测试电路
参见图9
1.0
2.0
3.0
4.0
A
-V
DS
,漏极至源极电压( V)
Q
G
,总栅极电荷( NC)
图5 。
典型的电容比。
漏极至源极电压
图6 。
典型栅极电荷比。
栅极 - 源极电压
10
10
-I
SD
,反向漏电流( A)
在这一领域有限
由R
DS ( ON)
-I
D
,漏电流( A)
1
100µs
T
J
= 150°C
T
J
= 25°C
0.1
1
1ms
10ms
0.01
0.4
0.6
0.8
1.0
V
GS
= 0V
1.2
A
1.4
0.1
1
T
A
= 25°C
T
J
= 150°C
单脉冲
10
100
A
-V
SD
,源极到漏极电压(V )
-V
DS
,漏极至源极电压( V)
图7 。
典型的源极 - 漏极二极管
正向电压
图8 。
最大安全工作区
www.irf.com
4