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    IRLML6302TRPBF 参数 Datasheet PDF下载

    IRLML6302TRPBF图片预览
    型号： IRLML6302TRPBF
    PDF下载： 下载PDF文件 查看货源
    内容描述： HEXFET®功率MOSFET [HEXFET® Power MOSFET]
    分类和应用： 晶体小信号场效应晶体管开关光电二极管
    文件页数/大小： 8 页 / 285 K
    品牌： IRF [ INTERNATIONAL RECTIFIER ]
     浏览型号IRLML6302TRPBF的Datasheet PDF文件第1页浏览型号IRLML6302TRPBF的Datasheet PDF文件第3页浏览型号IRLML6302TRPBF的Datasheet PDF文件第4页浏览型号IRLML6302TRPBF的Datasheet PDF文件第5页浏览型号IRLML6302TRPBF的Datasheet PDF文件第6页浏览型号IRLML6302TRPBF的Datasheet PDF文件第7页浏览型号IRLML6302TRPBF的Datasheet PDF文件第8页  
    IRLML6302PbF
    电气特性@ T
    J
    = 25 ℃（除非另有规定）
    参数
    V
    （ BR ） DSS
    漏极至源极击穿电压
    ∆V
    （ BR ） DSS
    /∆T
    J
    击穿电压温度。系数
    R
    DS （ ON）
    V
    GS （ TH）
    g
    fs
    I
    DSS
    I
    GSS
    Q
    g
    Q
    gs
    Q
    gd
    t
    D（上）
    t
    r
    t
    D（关闭）
    t
    f
    C
    国际空间站
    C
    OSS
    C
    RSS
    静态漏 - 源极导通电阻
    栅极阈值电压
    正向跨导
    漏极至源极漏电流
    栅 - 源正向漏
    栅 - 源反向漏
    总栅极电荷
    栅极 - 源极充电
    栅极 - 漏极（ "Miller" ）充电
    导通延迟时间
    上升时间
    打开-O FF延迟时间
    下降时间
    输入电容
    输出电容
    反向传输电容
    分钟。
    -20
    –––
    –––
    –––
    -0.70
    0.56
    –––
    –––
    –––
    –––
    –––
    –––
    –––
    –––
    –––
    –––
    –––
    –––
    –––
    –––
    典型值。
    –––
    -4.9
    –––
    –––
    –––
    –––
    –––
    –––
    –––
    –––
    2.4
    0.56
    1.0
    13
    18
    22
    22
    97
    53
    28
    MAX 。单位
    条件
    –––
    V
    V
    GS
    = 0V时，我
    D
    = -250µA
    ---毫伏/°C基准，以25 ° C，I
    D
    = -1mA
    0.60
    V
    GS
    = -4.5V ，我
    D
    = -0.61A
    ƒ
    Ω
    0.90
    V
    GS
    = -2.7V ，我
    D
    = -0.31A
    ƒ
    -1.5
    V
    V
    DS
    = V
    GS
    , I
    D
    = -250µA
    –––
    S
    V
    DS
    = -10V ，我
    D
    = -0.31A
    -1.0
    V
    DS
    = -16V, V
    GS
    = 0V
    µA
    -25
    V
    DS
    = -16V, V
    GS
    = 0V ，T
    J
    = 125°C
    -100
    V
    GS
    = -12V
    nA
    100
    V
    GS
    = 12V
    3.6
    I
    D
    = -0.61A
    0.84
    NC V
    DS
    = -16V
    1.5
    V
    GS
    = -4.5V ，参照图6,9
    ƒ
    –––
    V
    DD
    = -10V
    –––
    I
    D
    = -0.61A
    ns
    –––
    R
    G
    = 6.2Ω
    –––
    R
    D
    = 16Ω ，见图。 10
    ƒ
    –––
    V
    GS
    = 0V
    –––
    pF
    V
    DS
    = -15V
    –––
    ƒ = 1.0MHz的，见图。五
    源极 - 漏极额定值和特性
    I
    S
    I
    SM
    V
    SD
    t
    rr
    Q
    rr
    注意事项：
    参数
    连续源电流
    （体二极管）
    脉冲源电流
    （体二极管）
    
    二极管的正向电压
    反向恢复时间
    反向恢复电荷
    分钟。典型值。马克斯。单位
    –––
    –––
    –––
    –––
    –––
    ––– -0.54
    –––
    –––
    35
    26
    -4.9
    -1.2
    53
    39
    V
    ns
    nC
    A
    条件
    MOSFET符号
    展示
    整体反转
    p-n结二极管。
    T
    J
    = 25 ° C，I
    S
    = -0.61A ，V
    GS
    = 0V
    T
    J
    = 25 ° C，I
    F
    = -0.61A
    的di / dt = -100A / μs的
    „
    D
    G
    S
    „
    
    重复评价;脉冲宽度
    T
    J
    ≤
    150°C
    ‚
    I
    SD
    ≤
    -0.61A ， di / dt的
    ≤
    76A / μs的，V
    DD
    ≤V
    （ BR ） DSS
    ,
    受到最大。结温。 （参见图11）
    ƒ
    脉冲宽度
    ≤
    300μS ;占空比
    ≤
    2%.
    „
    表面安装在FR- 4电路板，T
    ≤
    5sec.
    www.irf.com
    2

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