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    IRLML6302TRPBF 参数 Datasheet PDF下载

    IRLML6302TRPBF图片预览
    型号： IRLML6302TRPBF
    PDF下载： 下载PDF文件 查看货源
    内容描述： HEXFET®功率MOSFET [HEXFET® Power MOSFET]
    分类和应用： 晶体小信号场效应晶体管开关光电二极管
    文件页数/大小： 8 页 / 285 K
    品牌： IRF [ INTERNATIONAL RECTIFIER ]
     浏览型号IRLML6302TRPBF的Datasheet PDF文件第2页浏览型号IRLML6302TRPBF的Datasheet PDF文件第3页浏览型号IRLML6302TRPBF的Datasheet PDF文件第4页浏览型号IRLML6302TRPBF的Datasheet PDF文件第5页浏览型号IRLML6302TRPBF的Datasheet PDF文件第6页浏览型号IRLML6302TRPBF的Datasheet PDF文件第7页浏览型号IRLML6302TRPBF的Datasheet PDF文件第8页  
    PD - 94947B
    IRLML6302PbF
    l
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    l
    第五代技术
    超低导通电阻
    P沟道MOSFET
    SOT-23封装足迹
    薄型（ <1.1毫米）
    可用磁带和卷轴
    快速开关
    LEAD -FREE
    HEXFET
    ®
    功率MOSFET
    * 
     '
    6 
    V
    DSS
    = -20V
    R
    DS （ ON）
    = 0.60Ω
    描述
    国际整流器第五代HEXFETs
    利用先进的加工技术，以实现
    极低的导通电阻每硅片面积。这样做的好处，
    结合快速开关速度和加固
    设备的设计，HEXFET功率MOSFET是很好
    众所周知，为设计者提供了一个非常有效的
    和可靠的装置，用于在各种各样的应用中使用。
    定制的引线框架已被纳入
    标准SOT-23封装，以产生一个HEXFET功率
    MOSFET具有业界最小尺寸。这
    包，被称为MICRO3 ，是理想的应用
    其中，印刷电路板空间非常珍贵。该
    在MICRO3的低调（ <1.1毫米），使其能够方便地安装到
    如便携式极薄的应用环境
    电子和PCMCIA卡。
    Micro3
    TM
    绝对最大额定值
    参数
    I
    D
    @ T
    A
    = 25°C
    I
    D
    @ T
    A
    = 70°C
    I
    DM
    P
    D
    @T
    A
    = 25°C
    V
    GS
    dv / dt的
    T
    J,
    T
    英镑
    连续漏电流， V
    GS
    @ -4.5V
    连续漏电流， V
    GS
    @ -4.5V
    漏电流脉冲
    
    功耗
    线性降额因子
    栅极 - 源极电压
    峰值二极管恢复的dv / dt
    ‚
    结温和存储温度范围
    马克斯。
    -0.78
    -0.62
    -4.9
    540
    4.3
    ± 12
    -5.0
    -55到+ 150
    单位
    A
    mW
    毫瓦/°C的
    V
    V / ns的
    °C
    热阻
    R
    θJA
    最大结点到环境
    „
    参数
    典型值。
    –––
    马克斯。
    230
    单位
    ° C / W
    www.irf.com
    1
    08/27/07

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