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SI4410DYPBF 参数 Datasheet PDF下载

SI4410DYPBF图片预览
型号: SI4410DYPBF
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内容描述: HEXFET㈢Power MOSFET [HEXFET㈢Power MOSFET]
分类和应用: 晶体晶体管功率场效应晶体管光电二极管
文件页数/大小: 8 页 / 119 K
品牌: IRF [ INTERNATIONAL RECTIFIER ]
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Si4410DYPbF
10.0
100
8.0
80
I
D
, Drain Current (A)
Power ( W)
6.0
60
4.0
40
2.0
20
0.0
25
50
75
100
125
150
0
0.01
0.1
1
10
100
A
T
C
, Case Temperature ( ° C)
Time (sec)
Fig 9.
Maximum Drain Current Vs.
Case Temperature
Fig 10.
Typical Power Vs. Time
100
Thermal Response (Z
thJA
)
D = 0.50
10
0.20
0.10
0.05
1
0.02
0.01
P
DM
t
1
0.1
SINGLE PULSE
(THERMAL RESPONSE)
Notes:
1. Duty factor D = t
1
/ t
2
2. Peak T
J
= P
DM
x Z
thJA
+ T
A
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
10
100
t
2
0.01
0.00001
t
1
, Rectangular Pulse Duration (sec)
Fig 11.
Typical Effective Transient Thermal Impedance, Junction-to-Ambient
www.irf.com
5