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    IRL520N 参数 Datasheet PDF下载

    IRL520N图片预览
    型号： IRL520N
    PDF下载： 下载PDF文件 查看货源
    内容描述： HEXFET®功率MOSFET [HEXFET?? Power MOSFET]
    分类和应用： 晶体晶体管功率场效应晶体管开关脉冲局域网
    文件页数/大小： 8 页 / 136 K
    品牌： INFINEON [ Infineon ]
     浏览型号IRL520N的Datasheet PDF文件第1页浏览型号IRL520N的Datasheet PDF文件第2页浏览型号IRL520N的Datasheet PDF文件第3页浏览型号IRL520N的Datasheet PDF文件第4页浏览型号IRL520N的Datasheet PDF文件第5页浏览型号IRL520N的Datasheet PDF文件第7页浏览型号IRL520N的Datasheet PDF文件第8页  
    IRL520N  
    200  
    160  
    120  
    80  
    I
    D
    TOP  
    2.4A  
    4.2A  
    6.0A  
    15V  
    BO TTO M  
    DRIVER  
    L
    V
    D S  
    D.U .T  
    R
    G
    +
    V
    DD  
    -
    I
    A
    AS  
    10V  
    Ω
    0.01  
    t
    p
    40  
    Fig 12a. Unclamped Inductive Test Circuit  
    0
    A
    25  
    50  
    75  
    100  
    125  
    150  
    175  
    V
    Starting T , Junction Tem perature (°C)  
    (BR)DSS  
    J
    t
    p
    Fig 12c. Maximum Avalanche Energy  
    Vs. Drain Current  
    I
    AS  
    Current Regulator  
    Fig 12b. Unclamped Inductive Waveforms  
    Same Type as D.U.T.  
    50KΩ  
    .2µF  
    12V  
    .3µF  
    Q
    G
    +
    5.0 V  
    V
    DS  
    D.U.T.  
    -
    Q
    Q
    GD  
    GS  
    V
    GS  
    V
    G
    3mA  
    I
    I
    D
    G
    Charge  
    Current Sampling Resistors  
    Fig 13a. Basic Gate Charge Waveform  
    Fig 13b. Gate Charge Test Circuit  

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