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IRFP064N 参数 Datasheet PDF下载

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型号: IRFP064N
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内容描述: 功率MOSFET ( VDSS = 55V , RDS(ON) = 0.008ohm ,ID = 110A ) [Power MOSFET(Vdss=55V, Rds(on)=0.008ohm, Id=110A)]
分类和应用:
文件页数/大小: 8 页 / 109 K
品牌: INFINEON [ Infineon ]
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IRFP064N  
RD  
VDS  
120  
100  
80  
60  
40  
20  
0
VGS  
10V  
LIMITED BY PACKAGE  
D.U.T.  
RG  
+VDD  
-
Pulse Width ≤ 1 µs  
Duty Factor ≤ 0.1 %  
Fig 10a. Switching Time Test Circuit  
V
DS  
90%  
25  
50  
75  
100  
125  
150  
175  
10%  
°
T , Case Temperature ( C)  
C
V
GS  
t
t
r
t
t
f
d(on)  
d(off)  
Fig 9. Maximum Drain Current Vs.  
Fig 10b. Switching Time Waveforms  
CaseTemperature  
1
D = 0.50  
0.20  
0.1  
0.10  
0.05  
P
DM  
t
1
0.02  
t
2
SINGLE PULSE  
(THERMAL RESPONSE)  
0.01  
Notes:  
1. Duty factor D =  
t / t  
1
2
2. Peak T = P  
x Z  
+ T  
C
J
DM  
thJC  
0.01  
0.00001  
0.0001  
0.001  
0.01  
0.1  
1
t , Rectangular Pulse Duration (sec)  
1
Fig 11. Maximum Effective Transient Thermal Impedance, Junction-to-Case