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IRFP064N 参数 Datasheet PDF下载

IRFP064N图片预览
型号: IRFP064N
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内容描述: 功率MOSFET ( VDSS = 55V , RDS(ON) = 0.008ohm ,ID = 110A ) [Power MOSFET(Vdss=55V, Rds(on)=0.008ohm, Id=110A)]
分类和应用:
文件页数/大小: 8 页 / 109 K
品牌: INFINEON [ Infineon ]
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IRFP064N  
20  
16  
12  
8
8000  
I
= 59A  
D
V
C
C
C
= 0V,  
f = 1MHz  
GS  
iss  
= C  
= C  
= C  
+ C  
+ C  
,
C
SHORTED  
gs  
gd  
ds  
gd  
ds  
V
V
V
= 44V  
= 28V  
= 11V  
DS  
DS  
DS  
7000  
6000  
5000  
4000  
3000  
2000  
1000  
0
rss  
oss  
gd  
C
C
iss  
o s s  
C
rs s  
4
FOR TES T CIRCUIT  
SEE FIGURE 13  
0
A
A
0
30  
60  
90  
120  
150  
180  
1
10  
100  
Q G , Total Gate Charge (nC)  
VD S , Drain-to-Source Voltage (V)  
Fig 5. Typical Capacitance Vs.  
Fig 6. Typical Gate Charge Vs.  
Drain-to-Source Voltage  
Gate-to-Source Voltage  
1 0 0 0  
1000  
100  
10  
OPERATION IN THIS AREA LIM ITE D  
BY R  
D S(o n)  
10µs  
1 00µs  
T
= 175°C  
J
1 0 0  
1m s  
T
= 25°C  
J
10m s  
T
T
= 25°C  
= 175°C  
C
J
S ingle Pulse  
V
= 0V  
G S  
1
1 0  
A
A
1
10  
100  
0. 6  
1. 0  
1. 4  
1. 8  
2. 2  
2. 6  
3. 0  
V
, Drain-to-Source Voltage (V)  
VSD , Source-to-Drain Voltage (V)  
DS  
Fig 7. Typical Source-Drain Diode  
Fig 8. Maximum Safe Operating Area  
Forward Voltage