欢迎访问ic37.com |
会员登录 免费注册
发布采购

IRF9Z24N 参数 Datasheet PDF下载

IRF9Z24N图片预览
型号: IRF9Z24N
PDF下载: 下载PDF文件 查看货源
内容描述: 功率MOSFET ( VDSS = -55V , RDS(ON) = 0.175ohm ,ID = -12A ) [Power MOSFET(Vdss=-55V, Rds(on)=0.175ohm, Id=-12A)]
分类和应用:
文件页数/大小: 8 页 / 110 K
品牌: INFINEON [ Infineon ]
 浏览型号IRF9Z24N的Datasheet PDF文件第1页浏览型号IRF9Z24N的Datasheet PDF文件第2页浏览型号IRF9Z24N的Datasheet PDF文件第3页浏览型号IRF9Z24N的Datasheet PDF文件第4页浏览型号IRF9Z24N的Datasheet PDF文件第6页浏览型号IRF9Z24N的Datasheet PDF文件第7页浏览型号IRF9Z24N的Datasheet PDF文件第8页  
IRF9Z24N  
1 2  
RD  
VDS  
VGS  
D.U.T.  
9
RG  
-
+
VDD  
-10V  
6
Pulse Width ≤ 1 µs  
Duty Factor ≤ 0.1 %  
Fig 10a. Switching Time Test Circuit  
3
t
t
r
t
t
f
d(on)  
d(off)  
V
GS  
10%  
0
A
1 7 5  
2 5  
5 0  
7 5  
1 0 0  
1 2 5  
1 5 0  
TC , Case Temperature (°C)  
90%  
Fig 9. Maximum Drain Current Vs.  
V
DS  
Case Temperature  
Fig 10b. Switching Time Waveforms  
1 0  
D
=
0 .5 0  
0 .2 0  
1
0 .1 0  
0 .0 5  
P
0 .0 2  
0 .0 1  
DM  
0. 1  
t
S IN G LE P U L S E  
(T H E R M A L R E S P O N S E )  
1
t
2
Notes:  
1. D uty factor D  
=
t
/ t  
1
2
2. Pea k T = P  
x Z  
+ T  
C
DM  
J
th JC  
A
0 . 0 1  
0 . 0 0 0 0 1  
0 . 0 0 0 1  
0 . 0 0 1  
0 . 0 1  
0. 1  
1
t1 , Rectan gular Pulse Duratio n (sec)  
Fig 11. Maximum Effective Transient Thermal Impedance, Junction-to-Case  
 复制成功!